Patent search ap:("三星电子株式会社(KR)") AND inv:"河大元" Page 1

1.

发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN115602685A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210429276.6

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 朴星一 , 朴宰贤 , 金庚浩 , 尹喆珍 , 河大元

IPC: H01L27/088 , H01L21/8234

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：下沟道图案和上沟道图案，沿与基底的顶表面垂直的第一方向堆叠在基底上；下源极/漏极图案，在基底上并在下沟道图案的第一侧和第二侧；上源极/漏极图案，堆叠在下源极/漏极图案上并在上沟道图案的第三侧和第四侧；第一阻挡图案，在下源极/漏极图案与上源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与上源极/漏极图案之间。第一阻挡图案包括第一材料，并且第二阻挡图案包括第二材料，其中，第一材料和第二材料不同。

Patent Agency Ranking