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公开(公告)号：CN103219566B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210017976.0
申请日：2012-01-19
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01P1/15 , H03K17/693
摘要： 本发明涉及高频开关。根据本发明的高频开关包括：至少一个发送端口(10)、至少一个接收端口(20)、共用端口(30)、发送侧串联开关(40)、发送侧分路开关(50)、接收侧串联开关(60)以及接收侧分路开关(70)。发送端口用于输入发送信号，接收端口用于输出接收信号，共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET，连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET，连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET，连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET，连接于接收端口与接地端之间。
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公开(公告)号：CN103166579B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210357297.8
申请日：2012-09-21
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H03F3/04
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/387 , H03F2200/417 , H03F2200/423 , H03F2200/541 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
摘要： 提供了一种放大装置，其可防止性能退化，同时降低成本。所述放大装置包括：第一放大器，连接在输入高频信号的输入端子和输出高频信号的输出端子之间，包括双极型晶体管，并且放大从输入端子中输入的高频信号；第二放大器，包括双极型晶体管，放大从输入端子输入的高频信号，并且具有比第一放大器的最大输出功率低的最大输出功率；以及开关单元，连接在第二放大器和输出端子之间，并且通过输出端子选择性地输出由第二放大器放大的高频信号。
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公开(公告)号：CN103219974A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210018214.2
申请日：2012-01-19
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H03K17/56
摘要： 本发明涉及可以抑制失真特性劣化的高频开关。根据本发明的高频开关，包括：向天线(110)输出发送信号的共用端口(CX)；输入上述发送信号的发送端口(TX1、TX2)；连接在多个发送端口和共用端口之间，并导通或者切断从各发送端口到共用端口的发送信号的多个开关部(100A、100B)，且开关部具有形成在硅基板上的一个以上的MOSFET(T∑Ω)，并且在MOSFET中，在连接在共用端口的MOSFET的基极端子与连接在共用端口的端子之间连接有电容器。
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公开(公告)号：CN103095269A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210360753.4
申请日：2012-09-21
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H03K17/567
CPC分类号： H03K17/007 , H03K17/16 , H04B1/48
摘要： 本发明公开了一种开关，其能够进行切换，同时降低相对于高频信号的振幅的失真。该开关包括：输入端子，高频信号输入到该输入端子；第一切换单元，连接在输入端子和第一输出端子之间，并且通过第一输出端子选择性地输出高频信号；以及第二切换单元，连接在输入端子和第二输出端子之间，并且通过第二输出端子选择性地输出高频信号。每个切换单元包括：阻抗变压器，设置在信号线上；双极型晶体管，具有接地的发射极、连接到信号线的集电极以及接收施加至其的根据控制电压的电流的基极；以及双极型晶体管，具有接地的集电极、连接到信号线的发射极以及接收根据控制电压的电流的基极。
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公开(公告)号：CN103219974B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210018214.2
申请日：2012-01-19
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H03K17/56
摘要： 本发明涉及可以抑制失真特性劣化的高频开关。根据本发明的高频开关，包括：向天线(110)输出发送信号的共用端口(CX)；输入上述发送信号的发送端口(TX1、TX2)；连接在多个发送端口和共用端口之间，并导通或者切断从各发送端口到共用端口的发送信号的多个开关部(100A、100B)，且开关部具有形成在硅基板上的一个以上的MOSFET(T∑Ω)，并且在MOSFET中，在连接在共用端口的MOSFET的基极端子与连接在共用端口的端子之间连接有电容器。
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公开(公告)号：CN103095269B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210360753.4
申请日：2012-09-21
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H03K17/567
CPC分类号： H03K17/007 , H03K17/16 , H04B1/48
摘要： 本发明公开了一种开关，其能够进行切换，同时降低相对于高频信号的振幅的失真。该开关包括：输入端子，高频信号输入到该输入端子；第一切换单元，连接在输入端子和第一输出端子之间，并且通过第一输出端子选择性地输出高频信号；以及第二切换单元，连接在输入端子和第二输出端子之间，并且通过第二输出端子选择性地输出高频信号。每个切换单元包括：阻抗变压器，设置在信号线上；双极型晶体管，具有接地的发射极、连接到信号线的集电极以及接收施加至其的根据控制电压的电流的基极；以及双极型晶体管，具有接地的集电极、连接到信号线的发射极以及接收根据控制电压的电流的基极。
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公开(公告)号：CN103219566A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017976.0
申请日：2012-01-19
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01P1/15 , H03K17/693
摘要： 本发明涉及高频开关。根据本发明的高频开关包括：至少一个发送端口(10)、至少一个接收端口(20)、共用端口(30)、发送侧串联开关(40)、发送侧分路开关(50)、接收侧串联开关(60)以及接收侧分路开关(70)。发送端口用于输入发送信号，接收端口用于输出接收信号，共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET，连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET，连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET，连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET，连接于接收端口与接地端之间。
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公开(公告)号：CN103166579A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210357297.8
申请日：2012-09-21
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H03F3/04
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/387 , H03F2200/417 , H03F2200/423 , H03F2200/541 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
摘要： 提供了一种放大装置，其可防止性能退化，同时降低成本。所述放大装置包括：第一放大器，连接在输入高频信号的输入端子和输出高频信号的输出端子之间，包括双极型晶体管，并且放大从输入端子中输入的高频信号；第二放大器，包括双极型晶体管，放大从输入端子输入的高频信号，并且具有比第一放大器的最大输出功率低的最大输出功率；以及开关单元，连接在第二放大器和输出端子之间，并且通过输出端子选择性地输出由第二放大器放大的高频信号。
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