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公开(公告)号：CN1655366B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200510008029.5
申请日：2005-02-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 崔圭焕
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 一种具有LDD结构的薄膜晶体管，其可以改善其沟道可靠性与输出特性。一半导体层包括源/漏极区域、一位于源/漏极区域之间的沟道区域、以及一位于沟道区域和源/漏极区域之间的LDD区域，其中在半导体层上掺杂的离子的投射范围从LDD区域中的半导体层的表面扩展到第一深度。
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