太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN101345265A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810006083.X

    申请日:2008-02-01

    Inventor: 文仁植 金大园

    CPC classification number: H01L31/022466 H01L31/1884 Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开一种通过最小化(或降低)电子转移阻抗和电极遮蔽损失而具有高光电效率的太阳能电池。该太阳能电池包括:半导体衬底;位于该半导体衬底的第一侧上的发射极层;位于该发射极层上的导电透明电极层;位于该导电透明电极层上并与该导电透明电极层电连接的第一电极;和位于该半导体衬底的第二侧上并与该半导体衬底电连接的第二电极。所述导电透明电极层具有约500μΩ·cm或更小的电阻率。所述发射极层可掺杂以低浓度杂质,以改善短波长处的光响应并最小化(或降低)复合损失。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN101494249B

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200810214324.X

    申请日:2008-09-02

    Inventor: 文仁植 金大园

    CPC classification number: H01L31/02245 H01L31/03529 Y02E10/547

    Abstract: 本发明涉及一种具有改进工艺的太阳能电池制造方法和一种通过这种方法制造的太阳能电池,这种太阳能电池包括具有通路孔的半导体衬底、发射极部分、基极部分、第一电极和第二电极。发射极部分和基极部分在半导体衬底中形成p-n结。第一电极电连接到发射极部分,而第二电极电连接到基极部分。形成导电性晶体以将第一电极的第一电极部分电连接到发射极部分,从而增加太阳能电池的效率。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN101494249A

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200810214324.X

    申请日:2008-09-02

    Inventor: 文仁植 金大园

    CPC classification number: H01L31/02245 H01L31/03529 Y02E10/547

    Abstract: 本发明涉及一种具有改进工艺的太阳能电池制造方法和一种通过这种方法制造的太阳能电池,这种太阳能电池包括具有通路孔的半导体衬底、发射极部分、基极部分、第一电极和第二电极。发射极部分和基极部分在半导体衬底中形成p-n结。第一电极电连接到发射极部分,而第二电极电连接到基极部分。形成导电性晶体以将第一电极的第一电极部分电连接到发射极部分,从而增加太阳能电池的效率。

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