公开(公告)号：CN100587978C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200610156357.4

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴相昱 ,  金大园 ,  赵银喆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成发射体层；在所述发射体层上形成绝缘层；在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物，该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂；通过去除其上形成有化学化合物的绝缘层并扩散所述掺杂剂，形成高浓度发射体部分；去除所述化学化合物；以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。

公开(公告)号：CN1992355A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156357.4

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴相昱 ,  金大园 ,  赵银喆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成发射体层；在所述发射体层上形成绝缘层；在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物，该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂；通过去除其上形成有化学化合物的绝缘层并扩散所述掺杂剂，形成高浓度发射体部分；去除所述化学化合物；以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。