公开(公告)号：CN103137786A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210452024.1

申请日：2012-11-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金太俊 ,  宋珉澈 ,  姜允默 ,  任兴均

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了制造光伏装置的方法以及使用该方法制造的光伏装置。该方法包括：使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质；执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分；在半导体基底的前表面上形成抗反射层；在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不同的第二杂质。