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公开(公告)号:CN102725858B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201180007219.9
申请日:2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,在背面接合型太阳能电池中,能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A),包括:具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n);具有第一导电型的第一半导体层(20n);和具有第二导电型的第二半导体层(30p),第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成,在背面(12)形成有槽(13),在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n),在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
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公开(公告)号:CN102725858A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201180007219.9
申请日:2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,在背面接合型太阳能电池中,能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A),包括:具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n);具有第一导电型的第一半导体层(20n);和具有第二导电型的第二半导体层(30p),第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成,在背面(12)形成有槽(13),在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n),在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
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公开(公告)号:CN203232873U
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201220728482.9
申请日:2012-12-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本实用新型提供具有被改善了的输出特性的太阳能电池。太阳能电池(1)包括光电转换部(10)、第一电极(14n)和第二电极(15p)。第一电极(14n)配置在光电转换部(10)的一个主面(10a)上。第一电极(14n)收集多数载流子。第二电极(15p)配置在光电转换部(10)的一个主面(10a)上。第二电极(15p)收集少数载流子。当设第一电极(14n)的面积为S1、设第二电极(15p)的面积为S2时,0.3≤S2/S1<1。
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