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公开(公告)号：CN103547692B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180071039.7
申请日：2011-11-28
申请人： 三菱伸铜株式会社
摘要： 一种Cu-Ni-Si系铜合金板，含有1.0～3.0质量%的Ni，并且含有浓度为Ni的质量%浓度的1/6～1/4的Si，余量为Cu及不可避免的杂质，表面的算术平均粗糙度Ra为0.02～0.2μm，以表面粗糙度平均线为基准时各个峰部值和谷部值的绝对值的标准偏差为0.1μm以下，合金组织中晶粒的纵横尺寸比的平均值为0.4～0.6，当根据EBSD法对测定面积范围内的所有像素的取向进行测定，并将相邻像素之间的取向差为5°以上的边界视为晶界的情况下，GOS的所有晶粒中的平均值为1.2～1.5°，特殊晶界的特殊晶界总长度Lσ相对于晶界的晶界总长度L的比率（Lσ/L）为60～70%，弹性极限值为450～600N/mm2，在150℃且1000小时下的焊料耐热剥离性良好，耐疲劳特性的变动少，具有优异的深拉深加工性。
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公开(公告)号：CN104011236B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180075686.5
申请日：2011-12-22
申请人： 三菱伸铜株式会社
摘要： 本发明的Cu-Ni-Si系铜合金板在维持强度和导电率的同时具有优异的模具耐磨性及剪切加工性，并含有1.0～4.0质量％的Ni和0.2～0.9质量％的Si，余量包括Cu及不可避免的杂质，表面的粒径20～80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为1.5×106～5.0×106个/mm2，表面的粒径超过100nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为0.5×105～4.0×105个/mm2，当自表面的厚度为整个板厚的20％的表面层中的粒径20～80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为a个/mm2，并且比所述表面层靠下方部分中的粒径20～80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为b个/mm2时，a/b为0.5～1.5，固溶于自表面小于10μm的厚度范围的晶粒内的Si的浓度为0.03～0.4质量％。
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公开(公告)号：CN104011236A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180075686.5
申请日：2011-12-22
申请人： 三菱伸铜株式会社
摘要： 本发明的Cu-Ni-Si系铜合金板在维持强度和导电率的同时具有优异的模具耐磨性及剪切加工性，并含有1.0～4.0质量％的Ni和0.2～0.9质量％的Si，余量包括Cu及不可避免的杂质，表面的粒径20～80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为1.5×106～5.0×106个/mm2，表面的粒径超过100nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为0.5×105～4.0×105个/mm2，当自表面的厚度为整个板厚的20％的表面层中的粒径20～80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为a个/mm2，并且比所述表面层靠下方部分中的粒径20～80nm的Ni-Si析出物颗粒的个数为b个/mm2时，a/b为0.5～1.5，固溶于自表面小于10μm的厚度范围的晶粒内的Si的浓度为0.03～0.4质量％。
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公开(公告)号：CN103547692A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201180071039.7
申请日：2011-11-28
申请人： 三菱伸铜株式会社
摘要： 一种Cu-Ni-Si系铜合金板，含有1.0～3.0质量%的Ni，并且含有浓度为Ni的质量%浓度的1/6～1/4的Si，余量为Cu及不可避免的杂质，表面的算术平均粗糙度Ra为0.2μm，以表面粗糙度平均线为基准时各个峰部值和谷部值的绝对值的标准偏差为0.1μm以下，合金组织中晶粒的纵横尺寸比的平均值为0.4～0.6，当根据EBSD法对测定面积范围内的所有像素的取向进行测定，并将相邻像素之间的取向差为5°以上的边界视为晶界的情况下，GOS的所有晶粒中的平均值为1.2～1.5°，特殊晶界的特殊晶界总长度Lσ相对于晶界的晶界总长度L的比率（Lσ/L）为60～70%，弹性极限值为450～600N/mm2，在150℃且1000小时下的焊料耐热剥离性良好，耐疲劳特性的变动少，具有优异的深拉深加工性。
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