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发明授权
半导体光刻用共聚物、抗蚀剂组合物以及基板的制造方法有权

公开(公告)号：CN105518041B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201480048455.9

申请日：2014-09-03

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 安田敦 , 中条美帆

IPC: C08F220/28 , C08F2/00 , G03F7/039

Abstract: 一种光刻用共聚物，其特征在于，其浊度Th(80)为1.0以上、4.6NTU以下，并且浊度Tm(80)为1.0以上、3.8NTU以下，该浊度Th(80)是这样的浊度，将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加正庚烷时使浊度成为10NTU的正庚烷添加量设为(X)h，该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中，光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt％，该浊度Th(80)是将该(X)h的80％的量的正庚烷添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度；该浊度Tm是这样的浊度，将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加甲醇时使浊度成为5.0NTU的甲醇添加量设为(X)m，该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中，该光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt％，该浊度Tm是将该(X)m的80％的量的甲醇添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度。

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