公开(公告)号：CN104137269B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201380011918.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 时岗秀忠 ,  佐藤刚彦

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在n型晶体硅基板(2)的与受光面相反一侧的背面，具备n型半导体层(11)以及p型半导体层极(4)、以及在所述p型半导体层(10)上形成了的集电极(3)，在所述n型晶体硅基板(2)的受光面侧的表面，具备n型半导体区域(8)，在所述n型半导体区域(8)，在隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述n型半导体层(11)相向的n型半导体区域(8b)、和隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述p型半导体层(10)相向的n型半导体区域(8a)中，平均杂质浓度不同。(10)、在所述n型半导体层(11)上形成了的集电

公开(公告)号：CN104137269A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380011918.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 时岗秀忠 ,  佐藤刚彦

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在n型晶体硅基板(2)的与受光面相反一侧的背面，具备n型半导体层(11)以及p型半导体层(10)、在所述n型半导体层(11)上形成了的集电极(4)、以及在所述p型半导体层(10)上形成了的集电极(3)，在所述n型晶体硅基板(2)的受光面侧的表面，具备n型半导体区域(8)，在所述n型半导体区域(8)，在隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述n型半导体层(11)相向的n型半导体区域(8b)、和隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述p型半导体层(10)相向的n型半导体区域(8a)中，平均杂质浓度不同。