公开(公告)号：CN1467839A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03138134.0

申请日：2003-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河野和史 ,  岩本猛

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题为用红外线区域的激光可靠地对在芯片上层形成的熔断器进行激光熔断。本发明中的半导体集成电路具备：在半导体衬底的主表面一侧形成的布线构件；与布线构件连接且具有规定的厚度的熔断性构件；覆盖熔断性构件的底面和侧面的阻挡构件；覆盖阻挡构件的至少侧面部分的光吸收构件；以及埋置布线构件、熔断性构件、阻挡构件和光吸收构件的绝缘构件，光吸收构件的复介电常数与熔断性构件的复介电常数相比，具有实数项的绝对值小而虚数项大的值。希望光吸收构件的厚度为熔断性构件的熔断中使用的光显示出最大吸收效率的厚度的50％以上至300％以下。光吸收构件由氮化钽、氮化钨或氮化钛等构成。

公开(公告)号：CN110023386A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780069269.7

申请日：2017-11-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中西佑介 ,  久保忧太 ,  今泉贤 ,  河野和史

IPC: C08J9/228 ,  B29C44/00 ,  B29C44/44 ,  B29C67/20 ,  B29K101/12

Abstract: 本发明涉及发泡绝热材料的制造方法及发泡绝热材料。得到将热导率低的气体内包的绝热性能高的发泡绝热材料。将使用在珠粒发泡的温度下不软化且气体透过性低的树脂预先用热导率低的气体使其发泡到规定的倍率的高熔点珠粒(2)、和在成型模内使其发泡的低温发泡珠粒(3)进行混合、填充到珠粒成型模具模腔(4b)中，进行加热发泡。

公开(公告)号：CN100388478C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN03149354.8

申请日：2003-06-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井户康弘 ,  河野和史 ,  岩本猛

IPC: H01L23/525

Abstract: 在半导体基片(2)上形成硅氧化膜(8)。在该硅氧化膜(8)上形成沟(8a)。在沟(8a)内隔着阻挡层金属(10)形成作为隔断层的铜反射层(12a)。形成硅氧化膜(14)，以覆盖该铜反射层(12a)。在该硅氧化膜(14)上设置含多个熔丝(16a)的熔丝形成区(15)。在铜反射层(12a)上形成为使激光光线反射而向下方凹入的凹状反射面。铜反射层(12a)被平面地配置，大致重叠在熔丝形成区的整个区域上。抑制熔丝熔断时激光光束的影响波及熔丝形成区近旁，获得可实现小型化的半导体装置。

公开(公告)号：CN1227736C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN03138134.0

申请日：2003-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河野和史 ,  岩本猛

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题为用红外线区域的激光可靠地对在芯片上层形成的熔断器进行激光熔断。本发明中的半导体集成电路具备：在半导体衬底的主表面一侧形成的布线构件；与布线构件连接且具有规定的厚度的熔断性构件；覆盖熔断性构件的底面和侧面的阻挡构件；覆盖阻挡构件的至少侧面部分的光吸收构件；以及埋置布线构件、熔断性构件、阻挡构件和光吸收构件的绝缘构件，光吸收构件的复介电常数与熔断性构件的复介电常数相比，具有实数项的绝对值小而虚数项大的值。希望光吸收构件的厚度为熔断性构件的熔断中使用的光显示出最大吸收效率的厚度的50%以上至300%以下。光吸收构件由氮化钽、氮化钨或氮化钛等构成。

公开(公告)号：CN1494144A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03149354.8

申请日：2003-06-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井永康弘 ,  河野和史 ,  岩本猛

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基片(2)上形成硅氧化膜(8)。在该硅氧化膜(8)上形成沟(8a)。在沟(8a)内隔着阻挡层金属(10)形成作为隔断层的铜反射层(12a)。形成硅氧化膜(14)，以覆盖该铜反射层(12a)。在该硅氧化膜(14)上设置含多个熔丝(16a)的熔丝形成区(15)。在铜反射层(12a)上形成为使激光光线反射而向下方凹入的凹状反射面。铜反射层(12a)被平面地配置，大致重叠在熔丝形成区的整个区域上。抑制熔丝熔断时激光光束的影响波及熔丝形成区近旁，获得可实现小型化的半导体装置。

公开(公告)号：CN101246848A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810086594.7

申请日：2003-06-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井户康弘 ,  河野和史 ,  岩本猛

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基片(2)上形成硅氧化膜(8)。在该硅氧化膜(8)上形成沟(8a)。在沟(8a)内隔着阻挡层金属(10)形成作为隔断层的铜反射层(12a)。形成硅氧化膜(14)，以覆盖该铜反射层(12a)。在该硅氧化膜(14)上设置含多个熔丝(16a)的熔丝形成区(15)。在铜反射层(12a)上形成为使激光光线反射而向下方凹入的凹状反射面。铜反射层(12a)被平面地配置，大致重叠在熔丝形成区的整个区域上。抑制熔丝熔断时激光光束的影响波及熔丝形成区近旁，获得可实现小型化的半导体装置。

公开(公告)号：CN209454729U

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201790000735.1

申请日：2017-06-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 狩田利一 ,  河野和史 ,  梅村晃辅

IPC: B61B1/02 ,  E06B3/46 ,  E06B3/72 ,  E06B9/04

Abstract: 本实用新型的目的在于提供能够减轻外装面板的制作作业所花费的负担和制作时间的站台门装置。该站台门装置具备：外装由面板(31)形成且沿着站台(1)的侧缘部立设的门箱体(3)；外装由面板(21)形成且收纳自如地安装于门箱体(3)的门扇体(2)；加强门箱体(3)以及门扇体(2)的面板(21、31)的加强构件(22、32)；以及将加强构件(22、32)粘接于面板(21、31)的粘接带。