半透过型液晶显示装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101089710B

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN200710110027.6

    申请日:2007-06-12

    Abstract: 本发明的目的在于得到一种可防止显示特性的退化的半透过型液晶显示装置。本发明的半透过型液晶显示装置是一种由TFT阵列基板和具有对置电极(28)的对置基板夹持液晶层(29)的显示装置。TFT阵列基板具备:栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT。还具有:覆盖栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT并至少在一部分上具有凹凸形状(16)的第1层间绝缘膜(15)。还在第1层间绝缘膜(15)的凹凸形状(16)上具备:反射膜(17)和以覆盖反射膜(17)的方式形成的第2层间绝缘膜(19),第2层间绝缘膜(19)与第1层间绝缘膜(15)的材料相同。而且,设置有像素电极(23),该像素电极(23)形成在第2层间绝缘膜(19)的配置有反射膜(17)的区域上,并与TFT进行电连接。

    半透过型液晶显示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101089710A

    公开(公告)日:2007-12-19

    申请号:CN200710110027.6

    申请日:2007-06-12

    Abstract: 本发明的目的在于得到一种可防止显示特性的退化的半透过型液晶显示装置。本发明的半透过型液晶显示装置是一种由TFT阵列基板和具有对置电极(28)的对置基板夹持液晶层(29)的显示装置。TFT阵列基板具备:栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT。还具有:覆盖栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT并至少在一部分上具有凹凸形状(16)的第1层间绝缘膜(15)。还在第1层间绝缘膜(15)的凹凸形状(16)上具备:反射膜(17)和以覆盖反射膜(17)的方式形成的第2层间绝缘膜(19)。而且,设置有像素电极(23),该像素电极(23)形成在第2层间绝缘膜(19)的配置有反射膜(17)的区域上,并与TFT进行电连接。

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