公开(公告)号：CN119812123A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411370316.X

申请日：2024-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福永悠

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 目的在于提供能够提高半导体装置的制造容易性，并且对填充于容器体内的硅凝胶的溢出进行抑制的技术。半导体装置具有：容器体(1)，其具有金属基座板(11)和壳体(12)；绝缘基板(2)，其配置于容器体(1)内的金属基座板(11)之上；半导体元件(3)，其搭载于绝缘基板(2)之上；以及硅凝胶(7)，其填充于容器体(1)内，对绝缘基板(2)及半导体元件(3)进行封装。在壳体(12)的内周面中的与硅凝胶(7)的上表面相比位于上方的部分处设置有槽(8)，该槽(8)具有能够产生毛细管现象的预先规定的尺寸。

公开(公告)号：CN119008576A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410575502.0

申请日：2024-05-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福永悠 ,  竹胁善朗 ,  清水康贵

IPC: H01L23/498 ,  H01L29/417 ,  H02M1/00

Abstract: 提供实现高寿命预测精度的半导体装置及逆变器装置。半导体装置具有半导体芯片(1)、第1发射极电极(3)、第2发射极电极(4)、第3发射极电极(5)、第1发射极配线(6)、第2发射极配线(7)及多个第3发射极配线(8)。第1发射极配线将第1发射极电极(3)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。第2发射极配线将第2发射极电极(4)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。多个第3发射极配线将第3发射极电极(5)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。第2发射极配线的直径大于第1发射极配线的直径及多个第3发射极配线的每一者的直径。第1发射极配线设置于远离多个第3发射极配线的位置处。