纯铜板
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115210394B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202180018747.8

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成:Cu的含量为99.96质量%以上,P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下,Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上,剩余部分为不可避免杂质,轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上,通过EBSD2法,以测定间隔5μm步长测定1mm以上的测定面积,排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点,在将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation:平均取向差)值为1.50以下。

    纯铜板
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115210394A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202180018747.8

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成:Cu的含量为99.96质量%以上,P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下,Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上,剩余部分为不可避免杂质,轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上,通过EBSD法,以测定间隔5μm步长测定1mm2以上的测定面积,排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点,在将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation:平均取向差)值为1.50以下。

    纯铜板
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115244197B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202180018743.X

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明的纯铜板具有如下组成:Cu的含量为99.96质量%以上,P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下,Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下,Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上,剩余部分为不可避免杂质,轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上,并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下,小倾角晶界及亚晶界相对于总晶界的长度比率以分配率(partition fraction)计为80%以下。

    纯铜板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115244197A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202180018743.X

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明的纯铜板具有如下组成:Cu的含量为99.96质量%以上,P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下,Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下,Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上,剩余部分为不可避免杂质,轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上,并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下,所述小倾角晶界及所述亚晶界相对于总晶界的长度比率以分配率(partition fraction)计为80%以下。

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