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公开(公告)号：CN113967769A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111276724.5
申请日：2021-10-29
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法；包括如下步骤：制备由NaNO3、H2O2与TiO2磨粒混合的悬浊液组成的磨料电解液；抽取磨料电解液外冲到阴极磨具周围，同时使用紫外光照射磨料电解液；电源输出电压，阴极接磨具、阳极接金属基碳化硅工件；通过控制进给速度和工件切深，获得加工后的表面。本发明的方法能够同步去除金属基体和SiC颗粒，以获得局部加工区域的较高表面质量，在航空航天、光学精密仪器和电子封装等领域有较好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113909597A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111274424.3
申请日：2021-10-29
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种光催化辅助射流电解加工金属基碳化硅方法。本发明通过光催化辅助射流电解金属基碳化硅材料，射流中TiO2磨粒流冲击破坏工件表面的钝化层加速金属基体阳极溶解，SiC增强颗粒通过光催化反应与磨粒流机械作用反复交替去除，能够同步去除金属基体和SiC颗粒，以获得局部加工区域的较高表面质量，在航空航天、光学精密仪器和电子封装等领域有较好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113909597B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111274424.3
申请日：2021-10-29
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种光催化辅助射流电解加工金属基碳化硅方法。本发明通过光催化辅助射流电解金属基碳化硅材料，射流中TiO2磨粒流冲击破坏工件表面的钝化层加速金属基体阳极溶解，SiC增强颗粒通过光催化反应与磨粒流机械作用反复交替去除，能够同步去除金属基体和SiC颗粒，以获得局部加工区域的较高表面质量，在航空航天、光学精密仪器和电子封装等领域有较好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113967769B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111276724.5
申请日：2021-10-29
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法；包括如下步骤：制备由NaNO3、H2O2与TiO2磨粒混合的悬浊液组成的磨料电解液；抽取磨料电解液外冲到阴极磨具周围，同时使用紫外光照射磨料电解液；电源输出电压，阴极接磨具、阳极接金属基碳化硅工件；通过控制进给速度和工件切深，获得加工后的表面。本发明的方法能够同步去除金属基体和SiC颗粒，以获得局部加工区域的较高表面质量，在航空航天、光学精密仪器和电子封装等领域有较好的应用潜力。
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