公开(公告)号：CN108149046B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201711248593.3

申请日：2017-12-01

申请人： 中车工业研究院有限公司 ,  上海交通大学

发明人： 章潇慧 ,  熊定邦 ,  曹沐 ,  张丽娇 ,  陈朝中 ,  张荻

IPC分类号： C22C1/08 ,  C25F3/02 ,  C22C32/00 ,  C23C16/26

摘要： 本发明涉及一种高强、高导石墨烯/铜复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料的铜基体呈均匀三维纳米尺度分布，尺度介于10～100nm，优选30nm‑80nm；石墨烯在复合材料内部呈三维互联网络结构，平均层数为1～10层。本发明所获得的石墨烯/铜纳米复合材料具有强度高、模量高、电导率高的特点，可用作各种类型的传导材料。

公开(公告)号：CN108149046A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711248593.3

申请日：2017-12-01

申请人： 中车工业研究院有限公司 ,  上海交通大学

发明人： 章潇慧 ,  熊定邦 ,  曹沐 ,  张丽娇 ,  陈朝中 ,  张荻

IPC分类号： C22C1/08 ,  C25F3/02 ,  C22C32/00 ,  C23C16/26

摘要： 本发明涉及一种高强、高导石墨烯/铜复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料的铜基体呈均匀三维纳米尺度分布，尺度介于10～100nm，优选30nm-80nm；石墨烯在复合材料内部呈三维互联网络结构，平均层数为1～10层。本发明所获得的石墨烯/铜纳米复合材料具有强度高、模量高、电导率高的特点，可用作各种类型的传导材料。

公开(公告)号：CN106584976A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611082597.4

申请日：2016-11-30

申请人： 上海交通大学

发明人： 熊定邦 ,  曹沐 ,  谭占秋 ,  范根莲 ,  李志强 ,  张荻

IPC分类号： B32B15/01 ,  B32B15/20 ,  B32B7/08 ,  B32B33/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  C23C16/26

CPC分类号： B32B15/01 ,  B32B7/08 ,  B32B15/20 ,  B32B33/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B2307/202 ,  C23C16/26

摘要： 本发明公开一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及制备方法，其特征在于，所述的复合材料由CVD石墨烯与板状铜基底交替复合构成层状结构，层内厚度方向为单晶态，且具有(111)晶面高度取向。所述方法为：(1)通过化学气相沉积(CVD)技术在板状铜基底上下表面生长石墨烯并诱导铜基底沿(111)择优取向，制备得到三明治状的石墨烯包覆铜基底；(2)将多片石墨烯包覆铜基底通过热压烧结致密化构成高导电石墨烯/铜基层状复合材料。本发明所制得的层状复合材料电导率高，传导水平高于纯银，且易于生产，可用作各种类型的传导材料。