公开(公告)号：CN118492409A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410765647.7

申请日：2024-06-14

申请人： 上海交通大学

发明人： 王亚琦 ,  芦凤桂 ,  崔海超 ,  邵晨东 ,  梁骞 ,  陈晓晖

IPC分类号： B22F10/28 ,  B22F10/50 ,  B22F10/25 ,  B22F1/065 ,  B33Y10/00

摘要： 本发明公开了一种抑制铜镍合金双金属构件铜基材热影响区软化的方法，针对激光定向能量沉积过程中铜基材因受热软化所导致的铜合金/镍基合金接头强度较低的问题，通过创造性采用选区激光熔化的方式引入过渡层，有效抑制了激光定向能量沉积制备过程中铜基材热影响区的软化行为。所述方法包括以下步骤：步骤1，采用选区激光熔化的方法，在铜合金的表面制备多层镍基合金过渡层，单层厚度不大于30μm，总厚度不低于600μm；步骤2，采用激光定向能量沉积的方法在过渡层表面制备多层沉积层，其中第一层沉积层的热影响区宽度不高于过渡层层厚。采用本发明的方法，可有效抑制铜‑镍双金属构件的软化行为，提高了铜合金‑镍基合金双金属构件的强度。