公开(公告)号：CN117144399A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310855783.0

申请日：2023-07-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张超然 ,  宋钫 ,  蒋渠 ,  王思弘 ,  冯若晗 ,  张昊阅 ,  盛梓阳 ,  徐乾庆 ,  袁子健

IPC: C25B11/075 ,  C25B11/031 ,  C25B11/054 ,  C25B3/26 ,  C25B3/07 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种溶致液晶模板法制备纳米多孔电极的方法及其应用；所述方法包括：S1、将金属盐溶液与表面活性剂Brij56，以及甲烷磺酸或硼氢化钠混合，加热至70℃‑80℃，获得溶致液晶前驱体溶液；S2、以所述溶致液晶前驱体溶液为电沉积溶液，在集流体电极上进行电沉积；S3、清洗以去除模板；S4、步骤S3所得集流体电极在40‑60℃中保持6‑24h并自然冷却，干燥后即得负载介孔金属纳米颗粒的集流体电极。本发明通过采用溶致液晶模板法，可得到介孔Sn、Bi、In等纳米颗粒；具有介孔结构的Sn、Bi、In等纳米颗粒对于二氧化碳气体具有更高效的传质特性，促进了三相界面处二氧化碳还原反应的进行，得益于足量的气相反应物供给，能有效提升产物选择性。

公开(公告)号：CN113233517B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202110728470.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 宋钫 ,  王思弘 ,  郭萃萍

IPC: C01G51/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种单层/少层二维过渡金属氧化物纳米材料水性分散液及其制备方法，包括以下步骤：步骤S1、将过渡金属氢氧化物粉体分散于水中获得悬浊液；步骤S2、在悬浊液中加入碱性溶液，搅拌使其溶解形成均一混合溶液；步骤S3、在所述混合溶液中加入化学氧化剂溶液，搅拌并反应；步骤S4、将步骤S3得到的反应液进行机械剥离处理；步骤S5、将步骤与S4机械剥离处理后的反应液进行洗涤，并收集分散性较高的上层溶液，即得到单层/少层二维过渡金属羟基氧化物的分散液。本发明方法简单易行，能有效解决现阶段过渡金属(氢/羟基)氧化物剥离工艺繁琐、设备依赖性高、需有机溶剂辅助的技术问题。

公开(公告)号：CN113233517A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110728470.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 宋钫 ,  王思弘 ,  郭萃萍

IPC: C01G51/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种单层/少层二维过渡金属氧化物纳米材料水性分散液及其制备方法，包括以下步骤：步骤S1、将过渡金属氢氧化物粉体分散于水中获得悬浊液；步骤S2、在悬浊液中加入碱性溶液，搅拌使其溶解形成均一混合溶液；步骤S3、在所述混合溶液中加入化学氧化剂溶液，搅拌并反应；步骤S4、将步骤S3得到的反应液进行机械剥离处理；步骤S5、将步骤与S4机械剥离处理后的反应液进行洗涤，并收集分散性较高的上层溶液，即得到单层/少层二维过渡金属羟基氧化物的分散液。本发明方法简单易行，能有效解决现阶段过渡金属(氢/羟基)氧化物剥离工艺繁琐、设备依赖性高、需有机溶剂辅助的技术问题。