专利检索 ap:("上海交通大学") AND inv:"陶哲" 第 1 页

1.

发明公开
具有肖特基异质结纳米多孔复合材料及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN118773665A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411036721.8

申请日：2024-07-31

申请人： 上海交通大学

发明人： 刘攀 , 陶哲 , 王鑫垚 , 张棋雯

IPC分类号： C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/061 , B82Y30/00

摘要： 本发明提供一种具有肖特基异质结纳米多孔复合材料及其制备方法和应用，复合材料包括纳米多孔金属Ni合金基底层、NiSx中间层和层状双金属氢氧化物催化层，纳米多孔金属Ni合金基底层包括金属Ni合金基底和纳米多孔结构，金属Ni合金基底包括镍基底和合金层，合金层形成在镍基底的表面，合金层中具有纳米多孔结构；NiSx中间层形成在纳米多孔金属Ni合金基底层的表面，其中，0.6≤x≤1.5；层状双金属氢氧化物催化层形成在NiSx中间层的表面，且NiSx中间层和层状双金属氢氧化物催化层耦合形成肖特基异质结。本发明提供的复合材料通过形成肖特基异质结纳米片阵列改善了电子结构，使得该阳极催化剂具有高电流密度下的高活性和长期稳定性，可以实现大规模的工业化应用。