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发明公开
一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法无效

公开(公告)号：CN102719792A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210199801.6

申请日：2012-06-18

Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 李文英 , 尹桂林 , 张柯 , 姜新来 , 钟建 , 余震 , 何丹农

IPC: C23C14/08 , C23C14/35

Abstract: 本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。

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