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公开(公告)号：CN119775687A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411890888.0
申请日：2024-12-20
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明公开了一种高吸收高发射复合功能薄膜涂层材料及其制备方法，涉及柔性薄膜材料制备技术领域，以碳材料、无机陶瓷颗粒等多尺度材料为主要功能单元，有机含氟树脂为粘结剂，在有机溶剂中制备成前驱体浆料，通过刮涂、喷涂等工艺方法，制备得到复合功能薄膜，工艺简单，所制备的薄膜是具有柔性特征的薄膜类超黑材料，可以通过双面胶、暗扣搭接等方式与卫星表面集成，可以大大降低高吸收高发射复合功能材料的实施周期，同时也解决了喷涂固化类超黑涂层材料高温固化适应差的问题。
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公开(公告)号：CN117698224A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311845580.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 上海卫星装备研究所
IPC: B32B15/01 , B32B15/20 , B32B3/12 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B37/06 , B32B38/00 , B32B38/18 , B64G1/54 , B64G1/22 , B64G1/10
Abstract: 本发明提供的一种用于空间电子辐射防护的卫星结构板及其制造方法，包括蜂窝结构板、电子防护功能填料；蜂窝结构板包括上蒙皮、下蒙皮、蜂窝芯；上蒙皮和下蒙皮通过胶黏剂与蜂窝芯相连；电子防护功能填料，包括聚合物基体、金属或金属氧化物粉末、抗氧化剂，并均匀填充于蜂窝芯中；本发明解决了地球轨道和深空探测航天器采用重金属防护自重过高、采用防护涂层厚度过小无法对MeV级及以上能量的电子形成有效防护、采用纯聚合物防护力学和导热性能差等问题，实现了结构强度和抗辐射功能一体化，在不额外占用舱内空间的条件下形成对空间高能电子的有效防护，降低舱内总剂量水平，同时导热性能较原有铝合金结构板更优，利于空间应用。
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公开(公告)号：CN112071359B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010881163.0
申请日：2020-08-27
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法，包括：测试单元；所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述上位机通过屏蔽线与下位机相连；所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中；所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。
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公开(公告)号：CN114292518A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111603795.1
申请日：2021-12-24
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明公开一种三维石墨烯‑POSS纳米复合材料改性聚酰亚胺的制备方法，通过采用热化学气相沉积技术、高温热处理技术制备具有三维结构的纳米尺度的三维石墨烯‑POSS，解决石墨烯、氧化石墨烯等二维材料易团聚的问题，实现大比例的三维石墨烯‑POSS含量用于改性聚酰亚胺；通过三维石墨烯‑POSS纳米改性技术，解决现有聚酰亚胺抗原子氧性能较差、空间环境适应性不足的问题，本发明的聚酰亚胺表面无缺陷及孔洞，在具备良好的力学性能、电学性能的基础上，具备优异的耐原子氧性能，原子氧侵蚀率优于0.8×10‑24cm3/atom。
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公开(公告)号：CN112071359A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010881163.0
申请日：2020-08-27
Applicant: 上海卫星装备研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应测试系统及方法，包括：测试单元；所述测试单元包括PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述上位机通过屏蔽线与下位机相连；所述下位机安放于单粒子效应模拟源或充放电模拟源的环境中；所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。本发明能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器受单粒子效应和充放电效应综合影响下的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，并比较器件受单粒子效应辐照后对充放电效应的影响和器件受充放电辐照后对单粒子效应的影响关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110835474A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911158351.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明提供了一种星用低吸收比颜料颗粒及其制备方法，所述颜料颗粒包括依次设置的颗粒基体、过渡层和表面功能层；所述的颗粒基体为改性ZnO颗粒；所述过渡层为Zn2SiO4核壳结构；所述表面功能层为纳米二氧化硅层。本发明制得的低吸收比颜料为纯白色、粒径分布范围约为0.9-1.8μm、太阳吸收比≤0.08，满足质子辐照能量90keV剂量5×1015cm-2作用后太阳吸收比变化量≤0.1，满足电子辐照能量90keV剂量1×1016cm-2作用后太阳吸收比变化量≤0.09。
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公开(公告)号：CN110672655A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911076228.8
申请日：2019-11-06
Applicant: 上海卫星装备研究所
Abstract: 本发明涉及热辐射性能测量技术领域内的一种热辐射性能原位检测系统，包括光源模块、光源标定模块、控制模块、样品室以及数据处理模块；光源模块，提供待测样品进行辐照实验与热辐射性能检测所需的光源；光源标定模块，用于待测样品与参考标准在同等条件下的热辐射性能参数的比对；样品室，对待测样品进行性能测试以及数据采集；控制模块包括运动控制单元与数据采集控制单元；数据处理模块，获取数据采集控制单元采集到的热辐射性能检测数据并通过处理软件处理，获得待测样品的法向半球反射率。本发明还提供了一种热辐射性能原位检测方法。本发明能真实的测量空间环境模拟对样品的热辐射性能的影响。
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公开(公告)号：CN110457780A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910667253.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 上海卫星装备研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种介质深层充电电位和内部充电电场获取方法及存储介质，根据转移轨道航天器各转移段的轨道参数，利用MATLAB程序将轨道参数转换为地理坐标系内的实时坐标，再使用地磁场模式IGRF转化为实时地磁坐标，代入辐射带电子环境模型，获得实时电子环境能谱；以粒子能谱为输入条件，在粒子输运模拟软件Geant4中计算介质内实时粒子沉积剂量率和注入电流密度，建立差分方程组计算介质内部实时电场强度和充电电位，识别卫星轨道转移时介质的深层放电风险。本发明能够对转移轨道航天器动态运行过程中介质深层充电电位和内部充电电场的进行计算，有效评估航天器在穿越辐射带轨道和进行轨道转移时的深层充放电风险。
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公开(公告)号：CN119892115A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411662815.6
申请日：2024-11-20
IPC: H03M13/13 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明提供了一种低复杂度抗辐照TBEC编译码器电路，该TBEC编译码器针对传统线性分组码编译码器进行低复杂度优化，根据编码和译码过程中部分异或逻辑运算电路相同的特点，提出了一种由使能信号控制的TBEC编译码器复用方法，在确保纠错功能的条件下有效降低了TBEC编译码器的电路面积和资源消耗。经验证，该编译码器复用的方法可以拓展至其余不同类型的线性分组码中。
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公开(公告)号：CN119763628A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411662816.0
申请日：2024-11-20
IPC: G11C11/417 , G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 本发明提供了一种基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备，SRAM单元包含十二个NMOS晶体管N1～N12和九个PMOS晶体管P1～P9；N7‑N12的栅极连接字线WL，均由WL控制；P4～P9作为上拉晶体管，N1‑N6作为下拉晶体管，P1～P3作为锁存控制管，其连接方式相互锁存并构建反馈回路；六个存储节点S0～S5与通过传输管N7～N12分别于位线BL和BLB连接。本发明的抗辐照SRAM单元在写入的过程中，通过三对传输管同时传输数据，提高写稳定性并降低写延迟，同时构建相互反馈的冗余节点对，具有完全抗单节点翻转与双节点翻转的能力，并对部分三节点翻转具有容错能力。
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