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公开(公告)号：CN110629241B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910871221.9
申请日：2019-09-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(>99.99％)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(>99.999％)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。
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公开(公告)号：CN112323108A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011245499.4
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海大学
IPC: C25D3/56 , C25D15/00 , C25B11/054 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种由铂电极经可控溶解制备三维结构铂复合材料的方法。采用金属氯化物为原料；以氯化胆碱/乙二醇低共熔溶剂为电解液；将碳颗粒加入到低共熔溶剂中并在50～70℃下恒温搅拌形成含有弥散碳固体颗粒的电解质；采用铂片作为对电极、泡沫镍或者铜片作为工作电极、非水‑银电极作为参比电极构成标准的三电极体系进行复合电沉积。复合电沉积反应在60～80℃和–0.6～–0.7V条件下进行，时间为60～240min。通过控制碳粉的添加量、阴极电势和沉积时间，可调控复合镀层的形貌以及镀层中铂的含量等。本发明可实现铂电极的可控溶解直接制备铂复合材料，应用于电解水制氢领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110699722A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911064923.2
申请日：2019-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: C25D3/66
Abstract: 本发明公开了一种制备Ti5Si3高温合金膜的方法，属于冶金技术领域，其工艺步骤为：(1)采用无水氯化钙为熔盐电解质，二氧化硅以及二氧化钛为原料，氧化钙为助溶剂，形成电沉积系统；(2)以石墨片作为阴极，石墨棒作为阳极，在850℃恒电流/恒电压条件下电沉积制备Ti5Si3高温合金膜；(3)本发明可通过周期性加入二氧化硅以及二氧化钛原料，实现连续制备厚度可调的Ti5Si3高温合金膜。本发明可在较低温度(850℃)条件下，实现直接制备超高熔点高温合金致密膜/镀层，同时可通过改变电流密度、电沉积时间等参数来实现对薄膜厚度及微观形貌的控制。本发明方法具有流程短、能耗低等特点。
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公开(公告)号：CN111575782A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010608312.6
申请日：2020-06-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅P-N结的方法，涉及半导体技术领域。本发明可选用CaCl2-SiO2-CaO体系或CaCl2-CaSiO3体系为原料，并加入掺杂剂，在恒电流、恒电压或脉冲电流条件、以及惰性气体气氛、850℃条件下，通过电沉积在单晶基体上外延生长得到单晶硅膜材料。本发明操作方法简单，在制备出P-P型、P-N结型、N-N型单晶硅膜材料的同时，具备倒金字塔表面结构，可有效增强表面光吸收、提高太阳能电池的转换效率。而且通过对电流参数、电压参数及时间等的改变可精确调控单晶硅膜材料的厚度，还可通过周期性补充原料的方式实现连续制备，提高制备效率，具有流程短、能耗低等优势。
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公开(公告)号：CN110629241A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910871221.9
申请日：2019-09-16
Applicant: 上海大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(>99.99％)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(>99.999％)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。
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公开(公告)号：CN110699722B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201911064923.2
申请日：2019-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: C25D3/66
Abstract: 本发明公开了一种制备Ti5Si3高温合金膜的方法，属于冶金技术领域，其工艺步骤为：(1)采用无水氯化钙为熔盐电解质，二氧化硅以及二氧化钛为原料，氧化钙为助溶剂，形成电沉积系统；(2)以石墨片作为阴极，石墨棒作为阳极，在850℃恒电流/恒电压条件下电沉积制备Ti5Si3高温合金膜；(3)本发明可通过周期性加入二氧化硅以及二氧化钛原料，实现连续制备厚度可调的Ti5Si3高温合金膜。本发明可在较低温度(850℃)条件下，实现直接制备超高熔点高温合金致密膜/镀层，同时可通过改变电流密度、电沉积时间等参数来实现对薄膜厚度及微观形貌的控制。本发明方法具有流程短、能耗低等特点。
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公开(公告)号：CN111665373A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010608309.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种探测光电材料微区光电性能的方法，涉及光电化学技术领域。本发明以扫描电化学显微镜装置为基础，通过采用光纤微探针和微电极探针，在光电化学池中通过精确扫描样品微区(包括晶粒和晶界等)，从而获得材料微区光电化学性能。本发明的一种探测光电材料微区光电性能的方法可以测量出材料微区的不同表面微观形貌对应的光电性能差异，以及探测晶界及不同晶粒取向的光电性能分布，解决了传统方法上只能测量材料整体宏观光电性质的局限，对光电转化机制研究和工艺性能改进具有重要的指导意义。
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