公开(公告)号：CN101717901B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910200524.4

申请日：2009-12-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 高玉来 ,  李仁兴 ,  孔令鸿 ,  龚永勇 ,  刘正建 ,  翟启杰

IPC: C22F1/00 ,  C22F3/00 ,  C21D1/00 ,  C21D9/52

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场处理非晶合金薄带材料的方法及其装置，属非晶材料晶化处理领域。本发明方法可通过设计的电路及作用线圈构成的脉冲磁场发生装置和加热设备，在普通热处理的同时导入脉冲磁场，实现脉冲磁场-普通热处理复合处理，被处理的非晶软磁材料在晶化温度以上的某一温度，经热处理完成晶化。本发明的专用装置包装有磁场线圈(配有水冷设备)、加热设备、脉冲电源、气氛保护系统、和温度控制系统。本发明中使用的脉冲电源参数为：输出电压U＝50～4800V，脉冲宽度200ms，作用频率f＝0.2～4Hz，脉冲磁场可产生的磁感应强度B＝0.03～3.2T，可实现的施加脉冲磁场条件下的最高加热温度为800℃。

公开(公告)号：CN101717901A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910200524.4

申请日：2009-12-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 高玉来 ,  李仁兴 ,  孔令鸿 ,  龚永勇 ,  刘正建 ,  翟启杰

IPC: C22F1/00 ,  C22F3/00 ,  C21D1/00 ,  C21D9/52

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场处理非晶合金薄带材料的方法及其装置，属非晶材料晶化处理领域。本发明方法可通过设计的电路及作用线圈构成的脉冲磁场发生装置和加热设备，在普通热处理的同时导入脉冲磁场，实现脉冲磁场-普通热处理复合处理，被处理的非晶软磁材料在晶化温度以上的某一温度，经热处理完成晶化。本发明的专用装置包装有磁场线圈(配有水冷设备)、加热设备、脉冲电源、气氛保护系统、和温度控制系统。本发明中使用的脉冲电源参数为：输出电压U＝50～4800V，脉冲宽度200ms，作用频率f＝0.2～4Hz，脉冲磁场可产生的磁感应强度B＝0.03～3.2T，可实现的施加脉冲磁场条件下的最高加热温度为800℃。