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公开(公告)号：CN107104193B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710302633.1
申请日：2017-05-03
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种具有多层周期掺杂结构的复合空穴传输层、LED器件结构、应用和制备方法，本发明通过在量子点发光器件的空穴有机传输层中掺入金属氧化物材料，并制备出以此掺杂有机层为结构单元的具有多层周期掺杂的空穴传输层（Hole Transport Layer,HTL），显著地提高了器件的空穴注入能力，从而改善了器件中载流子的注入平衡。同时系统地研究了金属氧化物掺杂材料在空穴传输层的掺杂比例对器件发光性能的影响。该结构不局限于量子点LED，其器件结构可移植到其他类型光电器件。
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公开(公告)号：CN110305660A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910514175.7
申请日：2019-06-14
申请人： 上海大学
IPC分类号： C09K11/06
摘要： 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An-1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法，从而产生更有效的能量传递路径。同时，MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高，三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成，使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成，从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格，而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面，CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。
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公开(公告)号：CN110299459B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910514252.9
申请日：2019-06-14
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法，发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组，由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构，对白光LED发光模组进行包覆，反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光，并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光，通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好，发光效率高，所得到的白光LED工艺简单，环境友好，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110299459A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910514252.9
申请日：2019-06-14
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点和InP量子点的白光LED器件及其制备方法，发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料串联组成白光LED发光模组，由反光罩和透光罩进行边缘无缝连接组成空腔封装结构，对白光LED发光模组进行包覆，反光罩能反射发光模块由红光发射的InP量子点、绿光发射的钙钛矿量子点及蓝光发射的氮化镓三种材料的出光，并使合成的白光从透光罩向LED器件外部进行出光，通过对红光的InP量子点、绿光的钙钛矿量子点、蓝光的氮化镓芯片进行堆叠从而发出白光。本发明量子点发光器件稳定性好，发光效率高，所得到的白光LED工艺简单，环境友好，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110305660B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910514175.7
申请日：2019-06-14
申请人： 上海大学
IPC分类号： C09K11/06
摘要： 一种基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法。该方法将甲磺酸(MeS)阴离子引入L2An‑1MnX3n+1钙钛矿前体来调节相组成的方法，从而产生更有效的能量传递路径。同时，MeS阴离子实现晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。本发明制备的准二维钙钛矿薄膜的激子寿命明显提高，三维钙钛矿晶粒得到明显的增多。通过在准二维金属卤化物钙钛矿前驱液中加入CsMeS来调节钙钛矿相组成，使得三维钙钛矿晶粒数目较传统方法更多的生成，从而产生更有效的能量传递路径。本发明方法使用的CsMeS没有掺入钙钛矿晶格，而是仅仅存在于钙钛矿晶格表面，CsMeS这种材料含有MeS阴离子可以实现准二维钙钛矿晶界和表面缺陷钝化，有效抑制非辐射复合。
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公开(公告)号：CN109971481A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910196909.1
申请日：2019-03-15
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于外延生长InP壳层发光的无镉量子点的制备方法，以宽带隙量子点为核，外延均匀生长窄带隙的InP壳层作为发光中心，并继续宽带隙梯度壳层的包覆。所制备量子点能够通过调节InP壳层厚度得到相应发光峰位，且其具有较窄的发射光谱，发光效率和稳定性也有了显著的提高。ZnSe量子点的尺寸分布非常均一，半峰宽窄，在ZnSe核的基础上进行窄带隙InP发光层的包覆不仅能够有效保证量子点的尺寸均一性，还便于通过控制InP的厚度来精确调控发光峰位。因此，本发明外延生长窄带隙InP壳层发光且能保持窄半峰宽的方法，在磷化铟壳层基础上继续包覆梯度壳层，进一步提高了无镉量子点的量子产率和稳定性。
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公开(公告)号：CN107104193A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710302633.1
申请日：2017-05-03
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种具有多层周期掺杂结构的复合空穴传输层、LED器件结构、应用和制备方法，本发明通过在量子点发光器件的空穴有机传输层中掺入金属氧化物材料，并制备出以此掺杂有机层为结构单元的具有多层周期掺杂的空穴传输层（Hole Transport Layer,HTL），显著地提高了器件的空穴注入能力，从而改善了器件中载流子的注入平衡。同时系统地研究了金属氧化物掺杂材料在空穴传输层的掺杂比例对器件发光性能的影响。该结构不局限于量子点LED，其器件结构可移植到其他类型光电器件。
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