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公开(公告)号：CN117923536A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311796855.5
申请日：2023-12-25
Abstract: 本发明公开一种硫化铜纳米片材料制备方法，包括1)对商业纯铜片进行预处理以去除表面污染物，2)将铜片置于NaOH溶液，一起置于聚四氟乙烯内衬的反应釜中进行水热氧化，得到的中间产物用去离子水洗涤干燥，获得氧化铜片；3)在获得的所述氧化铜片上平铺一层均匀商业硫粉，置于真空烘箱中低温硫化处理并自然冷却到室温，在铜片上原位生长即得CuS纳米片。
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公开(公告)号：CN117026218A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310972843.7
申请日：2023-08-03
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/32
Abstract: 本发明公开一种MTS流量控制系统，其包括汽化腔壳体(8)，汽化腔壳体上设有炉腔进气口(1)、保护气体进气口(6)、保护气体抽气口(11)和MTS加料口(14)，其中所述炉腔进气口(1)兼做MTS出口；设置在该汽化腔壳体(8)内的MTS液相坩埚(9)，该MTS液相坩埚(9)用于容纳液相MTS；设置在该MTS液相坩埚(9)内的超声波雾化片(15)，用于使该液相MTS雾化为细微雾滴；以及与所述汽化腔壳体(8)耦接的温度控制系统(7)，该温度控制系统(7)控制所述MTS液相坩埚内饱和蒸气压，并且控制超声波雾化片(15)的超声波功率来调节MTS气相转变量。本发明使用过程可连续添加MTS量，长时间反应不需要大容量装置，操作简单且制造成本低。
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公开(公告)号：CN115094624A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210449870.1
申请日：2022-04-27
IPC: D06M11/83 , D06M101/32 , D06M101/34
Abstract: 本发明公开了基于银系抗菌剂整理的抗菌织物制备方法、锦纶和涤纶，所述方法包括如下步骤：将织物放入到碘‑碘化钾溶液中进行第一次浸渍，其中碘的浓度为2～10g/L，碘化钾的浓度为20～50g/L；将第一次浸渍后的织物放入到4～20g/L硝酸银溶液中进行第二次浸渍，使碘化银固化在纤维大分子之间；将第二次浸渍后的织物放入到强还原剂溶液中进行还原，使微米级的银抗菌剂嵌入纤维大分子之间。本发明能够利用碘对聚合物的掺杂将银系抗菌剂引入纤维大分子缝隙之间，从而使涤纶织物具有抗菌性能，使用该方法制备的抗菌织物具有广谱抗菌性能且工艺简便。
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公开(公告)号：CN116752119A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310683067.9
申请日：2023-06-09
Abstract: 本发明提供了一种基于化学气相沉积炉的保温套件及组装方法，包括至少两个保温组件，所述保温组件之间连接形成环形结构；其中，所述保温组件包括第一保温块和第二保温块；第一保温块包括第一支撑部和突出于所述第一支撑部的第一凸起；第二保温块设置有与所述第一凸起匹配连接的第一凹陷。相比于现有技术，本发明提供的保温套件，通过上述结构进行叠加组装，克服了只能依靠人工操作手法来保证更换后保温层的质量问题，有效解决了目前化学气相沉积炉的保温材料更换繁琐且更换后易出现温度分布不均匀的问题，保证了产品质量的一致性。
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公开(公告)号：CN116531866A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310688701.8
申请日：2023-06-12
Abstract: 本发明提供了一种尾气处理系统和尾气处理方法，处理系统包括第一过滤器和与所述第一过滤器连通的第二过滤器，所述第一过滤器填充有吸附材料，所述第二过滤器设置有第一空气滤芯；待处理尾气经过所述第一过滤器处理后进入所述第二过滤器再处理。相比于常规的单级过滤处理，本发明的尾气处理系统采用至少两层过滤处理，可大大提高过滤效果，可使抽气泵至少稳定运行72小时不发生堵塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111592371B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010508372.0
申请日：2020-06-06
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开一种钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法，将碳化硅纤维预制体置于CVD炉恒温区内，在适合的温度范围内，采用化学气相渗透法在碳化硅纤维表面沉积钛硅碳界面层；然后将其置于含有聚碳硅烷和钛硅碳的浆料中进行浸渍，采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备陶瓷基复合材料。本发明制备出了含有Ti3SiC2界面的SiCf/SiC复合材料，工艺简单，成本低，且有效调控了吸波复合材料的介电常数，达到良好的吸波效果。
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公开(公告)号：CN118547261A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410559433.4
申请日：2024-05-08
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种液相输送CVD工艺制备TaC涂层系统及方法，通过改进工艺以及设计一套沉积进料系统，将液相的碳源和钽源同时导入反应腔体，在反应腔体中直接气化。避开现有工艺存在的问题，不需要载气，可精确控制溶液流量；液体直接进入反应腔中气化，无阻塞管道风险，成本低廉；工艺时间可控，无气化送粉的滞后性。该工艺制备的TaC涂层表面结构致密，无明显裂纹，界面处与基体结合紧密，稳定性高。
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公开(公告)号：CN116675550A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310617548.X
申请日：2023-05-29
IPC: C04B35/80 , H05K9/00 , C04B35/84 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B35/565
Abstract: 本发明公开了一种电磁屏蔽复合材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)对碳纤维预制体进行表面预处理，随后将碳纤维预制体进行真空浸渍。(2)对浸渍后的CF进行CVD处理得到CNTs/CF预制体。(3)将CNTs/CF预制体作为基底，对预制体沉积基体并进行致密化处理，最终得到CNTs‑C/SiC复合材料。本发明提供的电磁屏蔽复合材料表现出优异的电磁屏蔽性能，在航空航天的电磁防护领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111592371A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010508372.0
申请日：2020-06-06
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开一种钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法，将碳化硅纤维预制体置于CVD炉恒温区内，在适合的温度范围内，采用化学气相渗透法在碳化硅纤维表面沉积钛硅碳界面层；然后将其置于含有聚碳硅烷和钛硅碳的浆料中进行浸渍，采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备陶瓷基复合材料。本发明制备出了含有Ti3SiC2界面的SiCf/SiC复合材料，工艺简单，成本低，且有效调控了吸波复合材料的介电常数，达到良好的吸波效果。
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公开(公告)号：CN117888090A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311839197.3
申请日：2023-12-28
IPC: C23C16/505 , C23C16/511 , C23C16/02 , C23C16/34 , B05D7/22 , B05D7/24
Abstract: 本发明公开一种减少杂质的高纯石墨坩埚制备方法，主要通过在现有免烧结喷涂SiC/Si3N4复合涂层坩埚基础上增加了短时低温的PECVD工序，在疏松的氮化硅外层表面制备出一层薄且致密的膜，在保证良好隔温与脱模效果的前提下，有效减少疏松喷涂氮化硅外层颗粒的脱落对硅晶铸锭的影响，提高了产品良率。
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