-
公开(公告)号：CN116675550A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310617548.X
申请日：2023-05-29
IPC分类号： C04B35/80 , H05K9/00 , C04B35/84 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B35/565
摘要： 本发明公开了一种电磁屏蔽复合材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)对碳纤维预制体进行表面预处理，随后将碳纤维预制体进行真空浸渍。(2)对浸渍后的CF进行CVD处理得到CNTs/CF预制体。(3)将CNTs/CF预制体作为基底，对预制体沉积基体并进行致密化处理，最终得到CNTs‑C/SiC复合材料。本发明提供的电磁屏蔽复合材料表现出优异的电磁屏蔽性能，在航空航天的电磁防护领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115259878A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211065009.1
申请日：2022-09-01
申请人： 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/628 , C04B35/84 , C04B35/58
摘要： 本发明公开一种抽滤掺杂工艺，具体为制备Ti3SiC2改性的SiCf/BN/SiBCN复合材料，包括以下步骤：首先先在SiC纤维的表面沉积BN界面，之后再用Ti3SiC2颗粒对其进行改性，得到所需要的SiC纤维，最后采用PIP工艺形成SiBCN基体，获得满足需要的SiCf/BN/SiBCN复合材料。本发明利用抽滤装置巨大的吸力来提供一个推动力，让含有Ti3SiC2颗粒物的悬浮液尽可能多地进入SiC纤维的孔隙中，进而最终改善复合材料的电磁屏蔽性能。
-
公开(公告)号：CN113563097A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110978789.8
申请日：2021-08-25
IPC分类号： C04B35/83 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种碳纤维预制体及其制备方法、碳/碳复合材料的制备方法，涉及复合材料技术领域。本发明提供的碳纤维预制体包括若干叠层设置的碳纤维布以及设置在两相邻碳纤维布之间的预应力层；所述预应力层包括硼酚醛树脂涂层以及分布在所述硼酚醛树脂涂层内的碳纤维束。本发明通过在2D叠层预制体中加入碳纤维束和硼酚醛树脂前驱体，形成预应力层，从而在碳化的过程中抵消内应力，得到具有更高强度、不易开裂的碳/碳复合材料。
-
公开(公告)号：CN115259878B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211065009.1
申请日：2022-09-01
申请人： 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/628 , C04B35/84 , C04B35/58
摘要： 本发明公开一种抽滤掺杂工艺，具体为制备Ti3SiC2改性的SiCf/BN/SiBCN复合材料，包括以下步骤：首先先在SiC纤维的表面沉积BN界面，之后再用Ti3SiC2颗粒对其进行改性，得到所需要的SiC纤维，最后采用PIP工艺形成SiBCN基体，获得满足需要的SiCf/BN/SiBCN复合材料。本发明利用抽滤装置巨大的吸力来提供一个推动力，让含有Ti3SiC2颗粒物的悬浮液尽可能多地进入SiC纤维的孔隙中，进而最终改善复合材料的电磁屏蔽性能。
-
公开(公告)号：CN113354432B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110710648.8
申请日：2021-06-25
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/52 , C04B35/628 , C04B35/58
摘要： 本发明提供了一种碳基体结合硅硼碳氮基体的复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域，包括：将碳纤维预制体沉积碳化硅后进行热解碳沉积，再重复进行聚硅硼氮烷加压浸渍、固化和热解的操作，得到碳基体结合硅硼碳氮基体的复合材料。本发明首先在预制体碳纤维表面包覆碳化硅涂层，再沉积热解碳提高预制体的致密度，再掺杂聚硅硼氮烷，提高复合材料硅含量，在高温有氧环境下，能够与氧反应生成粘度很大的熔融态二氧化硅层，提高复合材料的抗烧蚀性能和力学性能。实施例的结果显示，本发明制备的复合材料的抗弯强度为352MPa，在3000K高温下的线烧蚀率为0.0031mm/s，质量烧蚀率为0.0452mg/(mm2·s)。
-
公开(公告)号：CN115417699A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211067510.1
申请日：2022-09-01
申请人： 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC分类号： C04B41/89
摘要： 本发明公开一种PyC‑SiC‑HfC三界面相改性C/C‑SiBCN双基体抗烧蚀复合材料的制备方法，包括PyC‑SiC‑HfC界面相制备和C‑SiBCN基体制备，具体包括：(1)利用CVD工艺在碳纤维预制体的纤维表面制备PyC+SiC界面相得到带有一定厚度界面相的预制体；(2)将步骤(1)制得的预制体在HfC聚合物‑二甲苯溶液中多次浸渍，制得PyC‑SiC‑HfC三界面相改性碳纤维预制体材料；(3)通过CVI工艺制备C基体；(4)通过PIP工艺制备SiBCN改性基体；(5)固化裂解；(6)重复步骤(4)和(5)，最终得到C/PyC‑SiC‑HfC/C‑SiBCN复合材料。本发明采用一种PyC‑SiC‑HfC的三界面相互补耐高温体系，利用PyC良好的片层结构、HfC良好的抗烧蚀性能和SiC良好的热膨胀系数匹配能力来作为C/C‑SiBCN复合材料的界面相，以此来提高整个复合材料的抗烧蚀性能。
-
公开(公告)号：CN113461433B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110895901.1
申请日：2021-08-05
摘要： 本发明提供了一种预应力纤维增强C/SiBCN陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料技术领域。本发明在重复PIP的过程中对纤维预制体层间进行改进，沿垂直于纤维预制体层间方向引入Z向预应力纤维，通过磨削钻孔将Z向预应力纤维引入SiBCN陶瓷基体中，垂直于轴向的预应力纤维可在PIP浸渍热解制备较厚试样的过程中抵消来自复合材料内部向外的内应力，改善结构陶瓷的受力性能，同时避免纤维过多拔出和层间破坏的现象；而且，Z向纤维能够增强材料沿轴向的力学性能，不仅减小了复合材料的内应力，还可以改善基体同增强体纤维的结合状况，解决了连续碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料基体层间过早开裂的问题。
-
公开(公告)号：CN113563097B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110978789.8
申请日：2021-08-25
IPC分类号： C04B35/83 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种碳纤维预制体及其制备方法、碳/碳复合材料的制备方法，涉及复合材料技术领域。本发明提供的碳纤维预制体包括若干叠层设置的碳纤维布以及设置在两相邻碳纤维布之间的预应力层；所述预应力层包括硼酚醛树脂涂层以及分布在所述硼酚醛树脂涂层内的碳纤维束。本发明通过在2D叠层预制体中加入碳纤维束和硼酚醛树脂前驱体，形成预应力层，从而在碳化的过程中抵消内应力，得到具有更高强度、不易开裂的碳/碳复合材料。
-
公开(公告)号：CN113582729A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110917016.9
申请日：2021-08-11
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明属于陶瓷基复合材料技术领域，具体涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种陶瓷基复合材料，包括纤维增强硅硼碳氮基体和沉积在所述纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层。本发明提供的陶瓷基复合材料包含沉积在纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层，所述碳化硅保护层中的硅在高温有氧环境下生成较厚的二氧化硅以隔绝外部氧气，保护内部的纤维增强硅硼碳氮基体，从而提高陶瓷基复合材料在高温(3000K)条件下的抗氧化性能和烧蚀性能。
-
公开(公告)号：CN113354432A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110710648.8
申请日：2021-06-25
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/52 , C04B35/628 , C04B35/58
摘要： 本发明提供了一种碳基体结合硅硼碳氮基体的复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域，包括：将碳纤维预制体沉积碳化硅后进行热解碳沉积，再重复进行聚硅硼氮烷加压浸渍、固化和热解的操作，得到碳基体结合硅硼碳氮基体的复合材料。本发明首先在预制体碳纤维表面包覆碳化硅涂层，再沉积热解碳提高预制体的致密度，再掺杂聚硅硼氮烷，提高复合材料硅含量，在高温有氧环境下，能够与氧反应生成粘度很大的熔融态二氧化硅层，提高复合材料的抗烧蚀性能和力学性能。实施例的结果显示，本发明制备的复合材料的抗弯强度为352MPa，在3000K高温下的线烧蚀率为0.0031mm/s，质量烧蚀率为0.0452mg/(mm2·s)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
26 条记录 (耗时 0.072 秒)
