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公开(公告)号：CN115205515A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210809170.9
申请日：2022-07-11
申请人： 上海工程技术大学
摘要： 本发明公开了一种QFN引线框架检测图像处理方法，包括，获取QFN引线框架检测图像；利用模板匹配法获取所述QFN引线框架的定位点信息；根据获得的QFN引线框架定位点信息，计算所述QFN引线框架检测图像倾斜角度；计算所述引线框架在所述检测图像中的形心坐标。根据计算得到的倾斜角度和形心坐标对所述QFN引线框架在检测图像中的位置进行校正。
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公开(公告)号：CN103132031A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310036504.4
申请日：2013-01-30
申请人： 上海工程技术大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置，属于陷光结构氮化硅薄膜技术领域。一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗石英玻璃（1）；将石英玻璃与氮化硅靶材（3）上、下对应地固定在镀膜设备内，所述镀膜设备具有充气口与抽真空口；对所述镀膜设备进行抽真空直至其压强优于2.1×10-4Pa；对所述镀膜设备充入Ar气作为溅射气体；所述氮化硅靶材（3）与石英玻璃（1）之间设置永磁铁（2），磁场方向竖直向上。石英玻璃（1）下表面形成陷光结构的氮化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN115861259A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211623095.3
申请日：2022-12-16
申请人： 上海工程技术大学
摘要： 本发明提供一种基于模板匹配的引线框架表面缺陷检测方法及装置，所述方法包括：建立以亮度划分等级的模板库；获取引线框架上下表面图片，通过模板匹配进行检测区域定位；将模板与ROI区域进行动态差分，采用改进后的孪生神经网络模型对图片相似度进行比较，进行缺陷检测；根据缺陷检测的结果进行产品判定。本发明方法实现简单、误检率低、检测精度高，可实现多种引线框架型号的缺陷检测。
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公开(公告)号：CN114926412A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210482692.2
申请日：2022-05-05
申请人： 上海工程技术大学
摘要： 本发明公开了一种QFN引线框架表面缺陷检测方法，包括，获取包括QFN引线框架阵列和承载所述QFN引线框架阵列的载台的第一图像；对第一图像进行图像分割获得多个QFN引线框架阵列单元图像；对QFN引线框架阵列中的单元图像提取模板图像及其像素值；根据单元图像像素值、模板图像像素值和预设差值阈值，检测判断单元图像中QFN引线框架的表面缺陷。
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公开(公告)号：CN103132031B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310036504.4
申请日：2013-01-30
申请人： 上海工程技术大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置，属于陷光结构氮化硅薄膜技术领域。一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗石英玻璃（1）；将石英玻璃与氮化硅靶材（3）上、下对应地固定在镀膜设备内，所述镀膜设备具有充气口与抽真空口；对所述镀膜设备进行抽真空直至其压强优于2.1×10-4Pa；对所述镀膜设备充入Ar气作为溅射气体；所述氮化硅靶材（3）与石英玻璃（1）之间设置永磁铁（2），磁场方向竖直向上。石英玻璃（1）下表面形成陷光结构的氮化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN203320121U
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201320339797.9
申请日：2013-06-14
申请人： 上海工程技术大学
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本实用新型公开了一种磁控溅射屏蔽罩，包括由透明材料制成的中空圆柱状的外罩以及空心环形托盘，所述外罩的底端的周面上均匀间隔设有三个开口，所述外罩的底端外周面上还固定设有三个基座，基座内开有通孔；所述空心环形托盘水平设于外罩内的上半部分，空心环形托盘通过若干根固定杆与外罩相连。由于采用透明材料可以方便整个溅射过程的观察及溅射之后的清洗，并且本实用新型的磁控溅射屏蔽罩与基体的距离非常的接近，减少了污染。而下端的开口设计有利于保证靶罩内的氩气气氛充足。
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