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公开(公告)号：CN115505780A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110683747.1
申请日：2021-06-21
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
摘要： 一种金属基石墨烯复合材料的制备方法及金属基石墨烯电触点，所述制备方法包括如下步骤：步骤S1：石墨烯浆料和金属粉混合，形成混合浆料。步骤S2：混合浆料在无氧和980℃～1050℃的环境中通过化学气相沉积法形成金属基石墨烯复合材料。金属基石墨烯电触点由金属基石墨烯复合材料制备形成。本发明制备过程简单，制备形成的金属基石墨烯电触点材料成本低，制备形成的金属基石墨烯复合材料改善了原始金属材料的性能，采用该材料制备形成的电触点具有优异的导电导热性，并具有抗氧化、抗腐蚀的特性，保证了电触点在使用过程中的优良性能。
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公开(公告)号：CN110216282B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910460452.0
申请日：2019-05-30
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
IPC分类号： B22F1/16 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , C22C1/05 , C22C9/00 , C23C16/26 , H01B1/02 , H01R43/16
摘要： 本发明涉及电触头材料领域，具体涉及一种铜基合金触点的制备方法，通过气相化学沉积法使铜粉表面生成石墨烯层，然后将包覆有石墨烯的铜粉与改性金属混合，并制成铜基合金触点；本发明的铜基合金触点制备方法，其制备的触点具有良好的耐腐蚀性、抗氧化性、导电性和抗熔焊能力。
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公开(公告)号：CN113897504A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010572579.4
申请日：2020-06-22
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
摘要： 一种金属基石墨烯复合材料的制备方法及金属基石墨烯电触点，所述制备方法包括如下步骤：步骤S1：石墨烯粉体和金属粉体研磨混合，形成混合粉体；步骤S2：混合粉体在无氧和950～1050℃的环境中通过化学气相沉积法形成金属基石墨烯复合材料。金属基石墨烯电触点由金属基石墨烯复合材料制备形成。本发明整体制备工艺简单高效，制备形成的金属基石墨烯复合材料改善了原始金属材料的性能，采用该材料制备形成的电触点具有优异的导电导热性，并具有抗氧化、抗腐蚀的特性，保证了电触点在使用过程中的优良性能。
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公开(公告)号：CN110170655B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910479239.4
申请日：2019-06-04
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
IPC分类号： B22F3/11 , C23C16/26 , C01B32/186
摘要： 一种金属基三维石墨烯复合材料的制备方法，包含步骤1：将金属粉末放入生长器皿中；步骤2：放进化学气相沉积炉中在保护性气氛下，采用500℃‑1050℃的烧结温度进行烧结制备块状的三维网络结构的泡沫金属；步骤3：通入生长气体，在500℃‑1050℃的温度下直接在块状的泡沫金属的表面生长石墨烯薄膜，形成金属基三维石墨烯复合材料；制备的泡沫金属孔隙小而密，成本比较低，适合工业化生产；然后在三维网络结构的泡沫金属的表面直接生长三维石墨烯，制备的金属基三维石墨烯复合材料的石墨烯薄膜是均匀且连续的，石墨烯在复合材料中的质量百分比也较高，对复合材料导电性能的提升有帮助。
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公开(公告)号：CN113897505B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010573010.X
申请日：2020-06-22
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
摘要： 石墨烯增强铜铬电触头材料的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：铜粉和铬粉在保护性气氛中混合均匀，形成第一混合粉体；步骤S2：第一混合粉体通过化学气相沉积使铜粉表面生成石墨烯层，形成铜基石墨烯和铬粉的第二混合粉体；步骤S3：第二混合粉体经冷压成型后烧结，制得预制体；步骤S4：对预制体复压复烧，制得电触头材料。本发明将铜粉和铬粉的混合粉体通过化学气相沉积法制备形成掺杂有石墨烯层的混合粉体，制备过程中铬粉作为防烧剂，石墨烯在铜粉上能快速高质量地生长并最终在铜铬粉体中分散均匀，采用本发明制备形成的材料制备电触头，电触头的界面结合良好，高致密，力学性能和物理性能优异，具有耐腐蚀且耐电弧侵蚀的特点。
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公开(公告)号：CN113897505A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010573010.X
申请日：2020-06-22
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
摘要： 石墨烯增强铜铬电触头材料的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：铜粉和铬粉在保护性气氛中混合均匀，形成第一混合粉体；步骤S2：第一混合粉体通过化学气相沉积使铜粉表面生成石墨烯层，形成铜基石墨烯和铬粉的第二混合粉体；步骤S3：第二混合粉体经冷压成型后烧结，制得预制体；步骤S4：对预制体复压复烧，制得电触头材料。本发明将铜粉和铬粉的混合粉体通过化学气相沉积法制备形成掺杂有石墨烯层的混合粉体，制备过程中铬粉作为防烧剂，石墨烯在铜粉上能快速高质量地生长并最终在铜铬粉体中分散均匀，采用本发明制备形成的材料制备电触头，电触头的界面结合良好，高致密，力学性能和物理性能优异，具有耐腐蚀且耐电弧侵蚀的特点。
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公开(公告)号：CN113897590B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010573258.6
申请日：2020-06-22
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
摘要： 一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，上述方法包括如下步骤：S1：铜粉或铜粉混合物在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后，对铜粉进行预氧化处理；S2：预氧化处理结束，化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后，同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作；S3：生长结束后，对生长产物进行降温处理。本发明铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，简化了铜粉表面石墨烯薄膜的成长工艺，提升了整体的工艺效率。并且，预氧化处理配合后期的还原及生长操作，减少了铜粉表面的成核点，使铜粉表面生长形成的石墨烯薄膜的晶粒尺寸较大，通常能达到5～10微米，石墨烯的晶界和缺陷减少，石墨烯的品质得到了很大地提升。
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公开(公告)号：CN113897590A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010573258.6
申请日：2020-06-22
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
摘要： 一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，上述方法包括如下步骤：S1：铜粉或铜粉混合物在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后，对铜粉进行预氧化处理；S2：预氧化处理结束，化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后，同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作；S3：生长结束后，对生长产物进行降温处理。本发明铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，简化了铜粉表面石墨烯薄膜的成长工艺，提升了整体的工艺效率。并且，预氧化处理配合后期的还原及生长操作，减少了铜粉表面的成核点，使铜粉表面生长形成的石墨烯薄膜的晶粒尺寸较大，通常能达到5～10微米，石墨烯的晶界和缺陷减少，石墨烯的品质得到了很大地提升。
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公开(公告)号：CN110216282A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910460452.0
申请日：2019-05-30
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
IPC分类号： B22F1/02 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C9/00 , C23C16/26 , H01B1/02 , H01R43/16
摘要： 本发明涉及电触头材料领域，具体涉及一种铜基合金触点的制备方法，通过气相化学沉积法使铜粉表面生成石墨烯层，然后将包覆有石墨烯的铜粉与改性金属混合，并制成铜基合金触点；本发明的铜基合金触点制备方法，其制备的触点具有良好的耐腐蚀性、抗氧化性、导电性和抗熔焊能力。
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公开(公告)号：CN209974884U
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201822232542.8
申请日：2018-12-28
申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/26
摘要： 本实用新型公开了一种石墨烯金属复合粉体连续生长设备，包括依次相连的进样室、CVD管式炉和降温室，还包括真空机组、供气系统和加热装置，所述真空机组和供气系统均分别与进样室、CVD管式炉和降温室连接，所述加热装置与CVD管式炉连接，所述CVD管式炉与进样室之间的连通口处设有第一真空挡板阀，CVD管式炉与降温室之间的连通口处设有第二真空挡板阀。本实用新型的石墨烯金属复合粉体连续生长设备，提高生产效率，扩大生产规模，降低能耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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