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公开(公告)号：CN119020652B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411505997.6
申请日：2024-10-28
Applicant: 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 氢化钇复合屏蔽材料前驱体及其制造方法与应用，属于核电领域。其中氢化钇复合屏蔽材料前驱体制造方法包括以下步骤：提供前驱体原料，前驱体原料包括0.5%‑15.0%的Ti，0.15%‑4.0%的C，余量为Y和不可避免的杂质，其中3.5≤Ti/C≤4.0，对前驱体原料进行真空熔炼并浇筑为合金铸锭，对合金铸锭进行变形加工和退火处理，得到氢化钇复合屏蔽材料前驱体。该方法能够制备具有细小晶粒和TiC增强相的氢化钇复合屏蔽材料前驱体，以其为原料进行高温氢化处理能够高效制备具有良好中子屏蔽性能的氢化钇复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN119040719A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411505995.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 一种核屏蔽用增强钇基复合材料，按重量比计包括：0.2%‑20%的Zr，0.05%‑5.0%的B，且满足4.0≤Zr/B≤4.3，余量为Y及不可避免的杂质。Zr能够有效提高该复合材料对快中子的慢化效果；B则能够对热中子进行吸收，并与Zr结合形成ZrB2，起到细化晶粒的效果，使得该复合材料在高温氢化处理过程中不易开裂。本发明还提供一种核屏蔽用增强钇基复合材料的制造方法和一种氢化钇复合屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN119020652A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411505997.6
申请日：2024-10-28
Applicant: 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 氢化钇复合屏蔽材料前驱体及其制造方法与应用，属于核电领域。其中氢化钇复合屏蔽材料前驱体制造方法包括以下步骤：提供前驱体原料，前驱体原料包括0.5%‑15.0%的Ti，0.15%‑4.0%的C，余量为Y和不可避免的杂质，其中3.5≤Ti/C≤4.0，对前驱体原料进行真空熔炼并浇筑为合金铸锭，对合金铸锭进行变形加工和退火处理，得到氢化钇复合屏蔽材料前驱体。该方法能够制备具有细小晶粒和TiC增强相的氢化钇复合屏蔽材料前驱体，以其为原料进行高温氢化处理能够高效制备具有良好中子屏蔽性能的氢化钇复合屏蔽材料。
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