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公开(公告)号：CN119064258A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411571477.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 上海核工程研究设计院股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 一种用于预测铝材料耐中子辐照性能的试验方法，属于耐辐照材料领域：提供铝材料样品和目标试验区域的离位损伤剂量目标，根据离位损伤剂量目标计算得到嬗变产生的元素原子浓度；注入固态元素离子模拟固体嬗变损伤，注入气态元素离子模拟气体嬗变损伤，注入重离子并使重离子穿过目标试验区域以模拟离位损伤；切取目标试验区域截面样品进行纳米硬度测试和微观辐照损伤统计，根据统计结果预测铝材料在同等中子辐照下的损伤行为。该方法无需采用中子源，能够对离位损伤、固体嬗变损伤、气体嬗变损伤及其协同效应进行准确模拟，提高铝材料耐中子辐照性能的预测准确性。
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公开(公告)号：CN119064258B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411571477.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 上海核工程研究设计院股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 一种用于预测铝材料耐中子辐照性能的试验方法，属于耐辐照材料领域：提供铝材料样品和目标试验区域的离位损伤剂量目标，根据离位损伤剂量目标计算得到嬗变产生的元素原子浓度；注入固态元素离子模拟固体嬗变损伤，注入气态元素离子模拟气体嬗变损伤，注入重离子并使重离子穿过目标试验区域以模拟离位损伤；切取目标试验区域截面样品进行纳米硬度测试和微观辐照损伤统计，根据统计结果预测铝材料在同等中子辐照下的损伤行为。该方法无需采用中子源，能够对离位损伤、固体嬗变损伤、气体嬗变损伤及其协同效应进行准确模拟，提高铝材料耐中子辐照性能的预测准确性。
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公开(公告)号：CN111909828A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910666239.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种能用于捕获目标颗粒(如循环肿瘤细胞CTC)的微流控芯片，该芯片包括汇聚分流单元，所述汇聚分流单元能够将液体样本(如血液、灌流液等)中的目标颗粒汇聚在液流中心，同时将一定比例的不含目标颗粒的液流分走，进而对输入芯片的液流进行有效的降流降速，从而更有利于液流中目标颗粒的捕获；当芯片用于目标颗粒的捕获时，还包括捕获单元，并通过所述捕获单元实现对目标颗粒的捕捉。本发明的芯片能够在待测样本流速和流量均很高的情况下，有效富集目标颗粒并降低整体流量和流速，当芯片中进一步包含捕获单元时，即可灵敏而特异的捕捉目标颗粒(特别是CTC)，非常适合于大规模的临床应用。
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公开(公告)号：CN111074133A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010013300.9
申请日：2020-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: C22C30/00 , C22C38/24 , C22C38/26 , C22C38/22 , C22C38/28 , C22C38/04 , C22C38/12 , C22C27/02 , C22C33/04 , C22C1/02
Abstract: 本发明涉及金属材料及制备技术领域，提供了一种低活化多主元固溶体合金及其制备方法，所述多主元固溶体合金由低活化元素Fe、Cr、V，或Fe、Cr、V与M组成，合金的原子百分比表达式为FeaCrbVcMd，M为元素Mn、Ti、Zr、W、Ta、Si、B、C和N中的至少一种。本发明利用多主元高浓度高熵效应，通过调控组成元素的含量，确保多主元固溶体相的形成。所制备出来的合金兼具良好的热力学稳定性、抗辐照性以及低活化特征。本发明的FeaCrbVcMd系低活化多主元固溶体合金属于简单体心立方固溶体结构，制备方法采用熔炼法制备，可满足工业化大批量生产的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106047665A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610617882.5
申请日：2016-07-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G01N33/5029
Abstract: 本发明公开了一种用于高通量细胞迁移研究的方法和细胞迁移研究系统，采用细胞布置器件中的细胞群体限制腔室培养贴壁生长的细胞，得到贴壁生长的细胞群。将贴壁生长的细胞群放在迁移测试器件中的迁移测试腔室中培养，获取细胞生长过程中的图片，以通过图片记录的细胞群的生长所覆盖的区域，计算细胞迁移的迁移距离。采用本发明提供的细胞迁移研究系统进行细胞迁移研究，通过细胞群体限制腔室得到贴壁生长的细胞群，再通过对迁移测试腔室中细胞生长的图片的获取，这种研究方法具有极高的可重复性，并能通过图像处理将细胞的迁移能力定量化。
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公开(公告)号：CN101194591A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200810055955.1
申请日：2008-01-03
Applicant: 北京大学
IPC: A01H1/06
Abstract: 本发明公开了一种植物辐射诱变的方法。该方法，是用射线辐照损伤植物种子的茎端分生组织的周围细胞后，播种筛选得到突变体。本发明的方法具体具有下述优点：1.射线的浅层穿透对种子胚的损伤较小，因而种子死亡率很低，相当于提高了诱变基数。2.不同种类不同能量的射线作用能产生不同的信号小分子，传导到茎端分生组织区域，引起相应的DNA分子断链，产生突变种类多，并具有定向诱变的特征。3.处理时间短，突变率高。4.不涉及有毒化学物质，无毒无害，安全环保。5、不需要高能加速器，极大地降低成本。
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公开(公告)号：CN100558628C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510130743.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , C01B33/02 , C01B33/113 , C25F3/02
Abstract: 一种Si基膜纳米孔道及其制备方法。所述的Si基膜包括：Si基；Si基上的膜和膜上的纳米孔道，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道可以是单个或多个的，也可以是特定阵列的纳米孔道；纳米孔道的形状可以是类圆柱形或类圆锥形，也可以是中间大两头小的钟漏形。所述的方法是：利用荷能粒子，特别是荷能重离子，在Si基膜中辐照产生粒子潜径迹，然后湿法腐蚀Si基膜中的粒子潜径迹，腐蚀过程中通过一个偏压和一种阻止溶液来终止腐蚀，从而在Si基膜中形成纳米孔道。
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公开(公告)号：CN1807224A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510130743.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , C01B33/02 , C01B33/113 , C25F3/02
Abstract: 一种Si基膜纳米孔道及其制备方法。所述的Si基膜包括：Si基；Si基上的膜和膜上的纳米孔道，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道可以是单个或多个的，也可以是特定阵列的纳米孔道；纳米孔道的形状可以是类圆柱形或类圆锥形，也可以是中间大两头小的钟漏形。所述的方法是：利用荷能粒子，特别是荷能重离子，在Si基膜中辐照产生粒子潜径迹，然后湿法腐蚀Si基膜中的粒子潜径迹，腐蚀过程中通过一个偏压和一种阻止溶液来终止腐蚀，从而在Si基膜中形成纳米孔道。
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