公开(公告)号：CN117403329A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311361524.9

申请日：2023-10-19

申请人： 上海核工程研究设计院股份有限公司 ,  江西天红科技有限公司

发明人： 陈军 ,  杨波 ,  毕光文 ,  韩宇 ,  夏凡 ,  史涛 ,  刘建文 ,  朱雪锋 ,  杨伟焱 ,  彭良辉 ,  吴玉林 ,  祝俊耀 ,  陈贵平

IPC分类号： C30B31/20 ,  C30B29/06 ,  G21K5/10

摘要： 本发明提供了一种单晶硅中子匀照装置及其使用方法，单晶硅中子匀照装置包括结构体、涂层吸收体、多个水槽和多个吊装组件，涂层吸收体涂覆在结构体的外壁面的中间区域，水槽开设在结构体的外壁面上，且分别位于对应涂层吸收体的两端，吊装组件分别安装在结构体的顶部，用于和外部驱动机构连接，实现结构体上下移动；涂层吸收体、水槽和结构体分别具有不同的中子吸收截面的材料，使得涂层吸收体、水槽和结构体具有轴向不同的中子吸收能力。本发明通过上下移动占用空间小、重量轻的中子屏，有效控制大尺寸中子辐照掺杂单晶硅在核反应堆整个运行寿期内电阻率轴向均匀度，避免了对尺寸大、重量大的硅锭的翻转或移动倒立操作，降低单晶硅破损率。