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发明公开
钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN116125716A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211484942.2

申请日：2022-11-24

申请人： 上海理工大学

发明人： 王金敏 , 马董云 , 孙佳伟

IPC分类号： G02F1/1524 , G02F1/155 , C03C17/34

摘要： 本发明涉及一种钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法。电致变色薄膜包括呈纳米线结构，或者呈由纳米线自团聚而成的纳米线簇结构的钨铌双金属氧化物。钨铌双金属氧化物中，钨铌原子比为2:1～1:6。电致变色薄膜电极包括导电基底以及生长在导电基底上的电致变色薄膜，其制备方法包括以下步骤：按钨铌原子比，将钨源和铌源溶于酸性溶剂中，得到前驱体溶液；将导电基底浸入前驱体溶液中，进行水热反应；反应结束后，经清洗、干燥后，得到钨铌双金属氧化物电致变色薄膜电极。与现有技术相比，本发明具有宽波长范围可实现大的光调制，具有高的着色效率，多种可供选择的响应时间等优点。