公开(公告)号：CN115608382B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202211299796.6

申请日：2022-10-24

申请人： 上海科技大学

发明人： 濮超丹 ,  秦玉凤

IPC分类号： B01J27/057 ,  B01J35/53 ,  B01J35/39 ,  C07C37/07 ,  C07C39/08

摘要： 本发明属于纳米光催化技术领域，具体涉及一种半导体纳米晶聚集体及其制备方法和在光催化有机合成中的应用。本发明提供一种半导体纳米晶聚集体的制备方法，包括如下步骤：提供单分散的核壳纳米晶溶液；提纯，对所述单分散的核壳纳米晶溶液进行表面处理，以减少纳米晶表面配体数量，得到配体量不足的纳米晶；将表面处理后的纳米晶溶液分散到有机溶剂中，使纳米晶发生聚集，得到纳米晶聚集体。本发明提供一种半导体纳米晶聚集体的制备方法，该方法简单易控，适用于多种类型纳米晶。与单分散的球形薄壳层CdSe/CdS核壳纳米晶相比，纳米晶聚集体的光催化效率更高。

公开(公告)号：CN115608382A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211299796.6

申请日：2022-10-24

申请人： 上海科技大学

发明人： 濮超丹 ,  秦玉凤

IPC分类号： B01J27/057 ,  B01J35/08 ,  C07C37/07 ,  C07C39/08

摘要： 本发明属于纳米光催化技术领域，具体涉及一种半导体纳米晶聚集体及其制备方法和在光催化有机合成中的应用。本发明提供一种半导体纳米晶聚集体的制备方法，包括如下步骤：提供单分散的核壳纳米晶溶液；提纯，对所述单分散的核壳纳米晶溶液进行表面处理，以减少纳米晶表面配体数量，得到配体量不足的纳米晶；将表面处理后的纳米晶溶液分散到有机溶剂中，使纳米晶发生聚集，得到纳米晶聚集体。本发明提供一种半导体纳米晶聚集体的制备方法，该方法简单易控，适用于多种类型纳米晶。与单分散的球形薄壳层CdSe/CdS核壳纳米晶相比，纳米晶聚集体的光催化效率更高。