公开(公告)号：CN119203883A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411163604.8

申请日：2024-08-23

Applicant: 上海科技大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 寇煦丰 ,  辛玥 ,  王泽伟 ,  唐志东 ,  何畅

IPC: G06F30/367 ,  G06F17/18 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，其中特性仿真方法包括以下步骤：在多个温度环境，对多个待测器件进行直流特性测试，根据测试获得的直流电学表征数据，构建待测器件的直流特性模型；根据直流电学表征数据，构建统计模型，并分析获取待测器件的全局变化数据和局部失配数据；提取待测器件的关键电学参数，构建待测器件的射频特性模型；以及根据待测器件的电路特征数学模型和射频特性模型，构建待测器件的集约模型。本发明提供了一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统，能够准确地描述低温环境下MOSFET器件的特性。

公开(公告)号：CN119203886A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411249778.6

申请日：2024-09-06

Applicant: 上海科技大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 寇煦丰 ,  何畅 ,  王泽伟 ,  唐志东

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种建立低温CMOS集约模型的方法，所述建立方法包括：设计多个低温测试样品，低温测试样品的尺寸覆盖工艺边界的各个尺寸；依次选择同一尺寸下的多个测试样品进行变温测试，确定标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒；对标准测试芯粒、全局失配芯粒和低温局部失配芯粒进行批量测试，获取器件在不同温度下的参数；依据参数进行拟合，建立低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，结合低温本征模型、低温射频模型与低温后道模型，建立低温CMOS集约模型。通过本发明提供的一种建立低温CMOS集约模型的方法，有助于提升设计者低温专用集成电路芯片系统设计、制备与定量分析的能力，满足低温集成电路芯片系统的设计与定量分析。