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公开(公告)号：CN102082216B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910199405.1
申请日：2009-11-26
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。
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公开(公告)号：CN101593801B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910057583.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101702422A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910197886.2
申请日：2009-10-29
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，通过引入一层低温氮化镓应力控制层，在有效的控制最终产品的漏电，抗静电ESD等电性参数的同时，实现了量子阱结构中的应力控制，达到进一步的提高外延层的内量子效率。
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公开(公告)号：CN100541850C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810042186.1
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，再用磷酸(温度为100-220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GaN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3-40微米，采用SC-2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N-GaN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30%以上。
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公开(公告)号：CN101488550A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046841.5
申请日：2009-02-27
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1－xN/GaN量子阱，接着生长1至6个InyGa1－yN/GaN量子阱，再生长4至15个InzGa1－zN/GaN量子阱；步骤3.在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100459185C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410089599.7
申请日：2004-12-15
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽；制备方法是在现有的制备方法之后用干法刻蚀形成同心圆结构。本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN101702422B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910197886.2
申请日：2009-10-29
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，通过引入一层低温氮化镓应力控制层，在有效的控制最终产品的漏电，抗静电ESD等电性参数的同时，实现了量子阱结构中的应力控制，达到进一步的提高外延层的内量子效率。
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公开(公告)号：CN101359710B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810200456.7
申请日：2008-09-25
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种绿光发光二极管的制造方法，其主要通过在外延生长InGaN/GaN量子阱中引入一层插入层的方法减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，从而获得高亮度的，抗静电能力强的绿光发光二极管。引入插入层后，300微米×300微米的520nm的绿光LED芯片的20mA下的亮度由100mcd升高至250mcd，芯片的抗静电能力由人体模式500V提高至人体模式4000V。
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公开(公告)号：CN101719466B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910197418.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，利用在图形衬底上的低温层处理技术解决衬底台面上侧向外延生长的问题，进一步改善整个外延层的晶体质量，从而有效的提高外延层内量子效率。本发明能有效控制台面上的侧向外延生长，有利于图形衬底上的漏电、抗静电ESD等电性参数性能提高，最终相对在图形衬底上一般正常结构生长的外延层结构，亮度可提高15～25％，ESD可以从HM1000V提高到HM8000V以上。
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公开(公告)号：CN101488550B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910046841.5
申请日：2009-02-27
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1、在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2、降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱，接着生长1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱，再生长4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱；步骤3、在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
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