一种正型光刻胶组合物及制备方法和光刻胶图形形成方法

    公开(公告)号:CN114326300A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202011065796.0

    申请日:2020-09-30

    发明人: 章韵 赵家祺

    IPC分类号: G03F7/004 G03F7/039 G03F7/00

    摘要: 本发明涉及光刻胶技术领域,更具体地,本发明涉及一种正型光刻胶组合物及制备方法和光刻胶图形形成方法。本发明提供一种未曝光区膜厚损失小、垂直程度高的矩形形貌,还同时兼具高灵敏度、高对比度和高分辨率的正性抗蚀剂组合物;通过添加少量含有特定取代酚单体的改性酚醛清漆树脂B,和常规酚醛树脂A共同作用,得到的正型光刻胶组合物在高灵敏度的情况下仍可以明显改善光刻胶垂直形貌,使得光刻胶形貌从70°的正梯形,变为80°以上的矩形形貌,使得光刻胶能满足细线宽加工的需求,且发明人发现,加入全氟烷基丙烯酸酯E作为光刻胶添加物可以明显改善光刻胶的未曝光膜厚损失,显著提高了光刻胶的对比度。

    一种抗反射涂料组合物及其应用

    公开(公告)号:CN112680052B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202011539567.8

    申请日:2020-12-23

    IPC分类号: C09D133/14 C09D7/63 C09D7/65

    摘要: 本发明提供一种抗反射涂料组合物,通过使用本发明所述消光树脂可强有力地吸收100~300nm的辐射,尤其在248nm下具有高吸光性能,消光系数K达0.4以上或0.5以上,从而允许使用较薄涂层和较短蚀刻时间,且制备得到的抗反射涂层材料容易清除,特别适合用在薄层光刻胶中使用以获得高分辨率光刻图形;同时,本发明所述BARC层还具有改进的相对于光刻胶材料的等离子体蚀刻速率,从而能够使图像完整转移至衬底上以获得良好的光刻胶图像。进一步地,通过固含组分的相互作用,可以消除光刻胶内的干涉效应;且通过本发明所述催化剂、所述交联剂和所述消光树脂共同作用,得到一种兼具良好储存稳定性、固化后高差别溶解度的抗反射涂料组合物。

    激光切割保护液及其制备方法和芯片的切割方法

    公开(公告)号:CN116410815A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202111680007.9

    申请日:2021-12-31

    IPC分类号: C10M173/02 C10N30/12

    摘要: 本发明提供了一种激光切割保护液及其制备方法和芯片的切割方法域。该激光切割保护液包括水溶性树脂、有机溶剂和水,按质量百分比计,水溶性树脂的含量为0.5%‑25%,有机溶剂的含量为5%‑40%,水的含量为35%‑94.5%,其中,该水溶性树脂包括聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或聚丙烯酸树脂中的至少一种,该有机溶剂与水互溶。本发明提供的激光切割保护液涂覆于芯片的表面形成保护膜,不仅能够在激光切割时,保护芯片周边区域,而且在加工完毕后易于清洗,从而能够有效提高芯片产品的稳定性和良率。