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发明公开
基板处理方法和基板处理装置审中-实审

公开(公告)号：CN117529135A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310906838.6

申请日：2023-07-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田直希 , 宫内国男 , 内田博章 , 飨场康

IPC: H10K50/844 , H10K71/00 , H10K59/10

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法包括：工序(A)，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除第二无机绝缘膜的第一蚀刻，并形成第二无机绝缘膜的掩模；工序(B)，在工序(A)之后，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除有机绝缘膜的第二蚀刻；工序(C)，在工序(B)之后，在第二无机绝缘膜的掩模上选择性地形成第三无机绝缘膜，并形成第二无机绝缘膜和第三无机绝缘膜的层叠膜掩模；以及工序(D)，在工序(C)之后，进行经由层叠膜掩模来去除有机绝缘膜的第三蚀刻，在该第三蚀刻中，有机绝缘膜相对于无机绝缘膜的选择比低于第二蚀刻中的该选择比。

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