公开(公告)号：CN101555166B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910011490.4

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  武艳君 ,  闫海乐 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。

公开(公告)号：CN101550030B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200910011491.9

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  闫海乐 ,  武艳君 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/10

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铝溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。

公开(公告)号：CN101550030A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910011491.9

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  闫海乐 ,  武艳君 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/10

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶－凝胶法制备含铝溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D－SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D－SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D－SiC/钢的界面反应进行控制。

公开(公告)号：CN101555166A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910011490.4

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  武艳君 ,  闫海乐 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶－凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D－SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D－SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D－SiC/钢的界面反应进行控制。