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    一种Th-MOF负载Cu基单位点催化材料及其制备方法和应用
    1.
    发明公开
    一种Th-MOF负载Cu基单位点催化材料及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN113388859A

    公开(公告)日：2021-09-14

    申请号：CN202110543262.2

    申请日：2021-05-19

    申请人： 东华理工大学

    发明人： 高志 ,  赖玉莲 ,  陶源 ,  王悦

    IPC分类号： C25B11/095 ,  C25B1/27

    摘要： 一种Th‑MOF负载Cu基单位点催化材料及其制备方法和应用。本发明属于催化材料领域。本发明是为了解决现有催化剂催化活性较低的技术问题。本发明的催化材料由单位点Cu与Th‑MOF材料组成，其中Th‑MOF材料为Th‑BPYDC，所述Th‑MOF材料为正八面体结构，空间点群为Fm3m。方法：步骤1、Th‑MOF材料的制备；步骤2、制备含铜离子前驱体溶液；步骤3、Th‑MOF负载Cu基单位点催化材料的制备。本发明的一种Th‑MOF负载Cu基单位点催化材料在电还原NO3‑合成氨反应中的应用。所得催化材料可以实现高达225.3μmol·h‑1·cm‑2的氨生成速率和92.5％的法拉第效率。

    一种Th-MOF负载Cu基单位点催化材料及其制备方法和应用
    3.
    发明授权
    一种Th-MOF负载Cu基单位点催化材料及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN113388859B

    公开(公告)日：2022-12-13

    申请号：CN202110543262.2

    申请日：2021-05-19

    申请人： 东华理工大学

    发明人： 高志 ,  赖玉莲 ,  陶源 ,  王悦

    IPC分类号： C25B11/095 ,  C25B1/27

    摘要： 一种Th‑MOF负载Cu基单位点催化材料及其制备方法和应用。本发明属于催化材料领域。本发明是为了解决现有催化剂催化活性较低的技术问题。本发明的催化材料由单位点Cu与Th‑MOF材料组成，其中Th‑MOF材料为Th‑BPYDC，所述Th‑MOF材料为正八面体结构，空间点群为Fm3m。方法：步骤1、Th‑MOF材料的制备；步骤2、制备含铜离子前驱体溶液；步骤3、Th‑MOF负载Cu基单位点催化材料的制备。本发明的一种Th‑MOF负载Cu基单位点催化材料在电还原NO3‑合成氨反应中的应用。所得催化材料可以实现高达225.3μmol·h‑1·cm‑2的氨生成速率和92.5％的法拉第效率。