公开(公告)号：CN118920021A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410994135.8

申请日：2024-07-24

申请人： 东南大学

发明人： 冯攀 ,  陶广慧 ,  刘钊龙 ,  袁龙 ,  刘睿丹 ,  张琪

IPC分类号： H01M50/431 ,  H01M50/491 ,  H01M50/403 ,  H01M50/497 ,  B28B13/02 ,  B28B11/08 ,  C04B41/53

摘要： 一种刻蚀法调控多孔水泥基隔膜及其制备方法和应用，属于电池隔膜技术领域。所述的水泥基隔膜的制备方法流程包括水泥净浆试件成型、打磨、刻蚀及干燥。所述刻蚀是采用酸溶液溶解掉水泥净浆自身的组成成分，提高水泥净浆的孔隙率和孔连通性，扩大离子的传输通道，进而提高其离子电导率。所制备的水泥基隔膜可应用于超级电容器、混合超级电容器和电池。所述的储能装置包括极耳、正极、负极以及设置在两电极之间刻蚀后并且经电解液浸润的水泥基隔膜。本发明的水泥基隔膜制备过程简单合理，操作方便，能够提高水泥净浆的孔隙率，为离子在其内部的传输提供更多通道，从而提高水泥净浆的离子电导率，使其作为隔膜时能具备更好的储能性能。