基于电流对消模型E/H面解耦的毫米波MIMO天线

    公开(公告)号:CN116191014A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310116513.8

    申请日:2023-02-15

    申请人: 东南大学

    发明人: 朱晓维 宋文亮

    摘要: 本发明公开了一种基于电流对消模型E/H面解耦的毫米波MIMO天线,包括金属地板,介质基板,微带天线单元,引流金属枝节,寄生金属枝节和同轴馈电端口组成。金属地板印刷在介质基板下表面;多个微带天线单元印刷在介质基板上表面,并且分别与多个同轴馈电端口相连接;E面微带天线单元之间分别加载有引流金属枝节以实现E面解耦;H面微带天线单元之间分别加载有寄生金属枝节以实现H面解耦。本发明可以实现MIMO天线E/H面同时解耦,且结构简单易于加工,可应用于需要高隔离度的毫米波MIMO天线系统,以及非对称毫米波MIMO天线阵列中。

    多合体功率放大器芯片集成宽带缝隙天线

    公开(公告)号:CN116505230A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310598422.2

    申请日:2023-05-25

    申请人: 东南大学

    摘要: 本发明专利公开了一种多合体功率放大器芯片集成宽带缝隙天线,包括金属地板,介质基板,辐射缝隙、功分结构微带馈线,氧化钼铜结构件和开槽的芯片外围电路PCB板。所述介质基板厚度为0.127mm,使用极薄基板以减小金线键合长度,以实现降低整体电路损耗的降低。所述微带馈线在辐射缝隙处采用功分结构,以激发额外的谐振模式并对其进行合理排布叠加,以实现过薄基板带来的天线阻抗带宽过窄的问题的解决。所述天线与芯片外围电路设计在同一块PCB板上。所述外围电路PCB板通过矩形开槽承托多合体功率放大器芯片,利用金丝将芯片与天线、射频信号线和偏置直流馈电线键合,以实现天线与多合体功率放大器一体化。