公开(公告)号：CN114114098B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202111344277.2

申请日：2021-11-15

申请人： 东南大学

发明人： 陈洁 ,  颜子尧 ,  张中锦 ,  单婉婷 ,  黄旭庭

IPC分类号： G01R33/06

摘要： 本发明公开了一种基于压电电子学的MEMS磁传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底n‑GaN、磁致伸缩层FeCoB和电极Pt。在磁场作用下，由于磁致伸缩效应，磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力，应力导致GaN晶体中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节内建电势，即电荷传输行为，即肖特基结的高度和宽度被调制，从而调制载流子运输，I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单，灵敏度高。

公开(公告)号：CN114062978B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202111344254.1

申请日：2021-11-15

申请人： 东南大学

发明人： 陈洁 ,  颜子尧 ,  张中锦 ,  单婉婷 ,  黄旭庭

IPC分类号： G01R33/00

摘要： 本发明公开了一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底p‑GaN、绝缘层Al2O3、磁致伸缩层FeCoB和电极。在磁场作用下，由于磁致伸缩效应，磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力，应力导致GaN中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节电荷传输行为，即绝缘层隧穿势垒的高度和宽度被调制，从而调制隧穿运输，I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单，灵敏度高。

公开(公告)号：CN115998302A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310034372.5

申请日：2023-01-10

申请人： 东南大学

发明人： 陈洁 ,  周文涛 ,  裘红翠 ,  黄旭庭 ,  严文杰 ,  张中锦

IPC分类号： A61B5/318 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/053 ,  B32B3/08 ,  B32B3/24 ,  B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B27/28

摘要： 本发明公开了一种具有自封装功能的用于测量呼吸和心跳的柔性传感器。该该传感器包括从上向下依次设置且固定连接的上柔性基板、上金属层、中柔性基板、下金属层和下柔性基板；其中，所述的上金属层包括第一平面线圈和位于第一平面线圈内端的第一内侧连接头、位于第一平面线圈外端的第一外侧连接头、连接线和连接线连接头；所述的下金属层包括第二平面线圈和位于第二平面线圈内端的第二内侧连接头和位于第二平面线圈外端的第二外侧连接头；由第一平面线圈和第二平面线圈构成双线圈，分别位于中柔性基板的两侧。上柔性基板和下柔性基板实现对传感器的封装，保护了平面线圈。

公开(公告)号：CN116115234A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310035195.2

申请日：2023-01-10

申请人： 东南大学

发明人： 陈洁 ,  裘红翠 ,  黄旭庭 ,  周文涛 ,  严文杰 ,  张中锦

IPC分类号： A61B5/318 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/053

摘要： 本发明公开了一种用于测量呼吸和心跳的心电信号系统。主要由双线圈柔性传感器、鉴相电路、数据采集及存储电路、上位机处理方法构成，双线圈分别位于柔性基板的两侧，呈对称分布，其中一个作为激励线圈另一个作为感应线圈。柔性基板可以选用柔性的聚酰亚胺(PI)板材，线圈为圆形平面螺旋线圈，采用印制电路板来制作传感器线圈。鉴相电路相位检测电路基于乘法器原理，采用模拟鉴相芯片实现。数据采集及存储电路采用微处理器驱动A/D转换电路进行信号采集，并将采集到的原始信号存储在SD卡中。将原始信号数据上传至上位机，即可采用信号分解算法，分离出心跳和呼吸信号。

公开(公告)号：CN114114098A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111344277.2

申请日：2021-11-15

申请人： 东南大学

发明人： 陈洁 ,  颜子尧 ,  张中锦 ,  单婉婷 ,  黄旭庭

IPC分类号： G01R33/06

摘要： 本发明公开了一种基于压电电子学的MEMS磁传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底n‑GaN、磁致伸缩层FeCoB和电极Pt。在磁场作用下，由于磁致伸缩效应，磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力，应力导致GaN晶体中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节内建电势，即电荷传输行为，即肖特基结的高度和宽度被调制，从而调制载流子运输，I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单，灵敏度高。

公开(公告)号：CN114062978A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111344254.1

申请日：2021-11-15

申请人： 东南大学

发明人： 陈洁 ,  颜子尧 ,  张中锦 ,  单婉婷 ,  黄旭庭

IPC分类号： G01R33/00

摘要： 本发明公开了一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底p‑GaN、绝缘层Al2O3、磁致伸缩层FeCoB和电极。在磁场作用下，由于磁致伸缩效应，磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力，应力导致GaN中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节电荷传输行为，即绝缘层隧穿势垒的高度和宽度被调制，从而调制隧穿运输，I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单，灵敏度高。