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公开(公告)号：CN116247395A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310451716.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基片集成波导圆形腔与弧形腔相嵌套的双通带滤波器，包括一个基片集成波导圆形腔和两个基片集成波导弧形腔，上述的各基片集成波导腔体沿周向均匀分布有贯穿上述的各基片集成波导腔体的金属通孔；每个基片集成波导弧形腔与基片集成波导圆形腔之间有感性开窗，两个基片集成波导弧形腔之间同样开有感性窗口；在两个基片集成波导弧形腔中分别设有共面波导与输出微带相连。本发明结构简单，方便加工，滤波器两个通带可以单独控制，可应用到5G毫米波以及6G移动通信系统中。
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公开(公告)号：CN120034124A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510105876.0
申请日：2025-01-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种可调八分之一模基片集成波导谐振腔负阻式压控振荡器，包括可调八分之一模基片集成波导谐振腔、移相微带线、负阻单元以及输出微带线。所述谐振腔由基片集成波导圆形腔通过八等分分割得到，并在开放边设置屏蔽通孔阵列，以减少电磁泄露。谐振腔内部集成变容二极管和偏置电路，实现频率的精准调谐。负阻单元通过移相微带线连接谐振腔，并通过输出微带线输出振荡信号。本发明相较于传统基片集成波导圆形腔振荡器，显著减小了整体尺寸，进一步提升了小型化性能。得益于负阻式结构，无需依赖较长的反馈微带线，同时保持了优异的相位噪声性能。通过引入可调八分之一模基片集成波导谐振腔，振荡器实现了宽频率范围的精准调谐能力。
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公开(公告)号：CN119009412A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410828100.7
申请日：2024-06-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种水平垂直交叉耦合及源谐振器耦合的多层基片集成波导滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元。上层单元的两个1/4模谐振腔与下层单元的全模谐振腔通过位于第二金属层的金属开槽形成垂直耦合，上层单元的两个1/4模谐振腔通过第一金属层的腔体连接处形成水平交叉耦合，输入微带线和一个1/4模谐振腔通过第一金属层的源谐振器耦合线形成水平源谐振器耦合。相对于传统的三阶基片集成波导滤波器，本发明在提升了滤波器选择性的情况下，利用垂直耦合结构及1/4模腔技术实现了小型化。本发明加工方便，水平垂直交叉耦合结构及1/4模腔技术通过普通的多层PCB工艺即可实现，适用于24GHz‑26GHz频段，可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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公开(公告)号：CN120034125A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510110945.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种基于多模基片集成波导双工器的谐波输出振荡器，包括多模基片集成波导双工器、放大单元、环路移相微带线。多模基片集成波导双工器包括位于上方的基频基片集成波导方形谐振腔,中间的双模基片集成波导方形谐振腔，左下方的第一二倍频基片集成波导方形谐振腔以及位于右下方的第二二倍频基片集成波导方形谐振腔，谐振腔之间通过耦合窗进行耦合。基频基片集成波导方形谐振腔设置有双工器的第一通带输出微带线，双模基片集成波导方形谐振腔设置有双工器的输入微带线，第二二倍频基片集成波导方形谐振腔设置有双工器的第二通带输出微带线。本发明结构简单，降低了谐波输出振荡器的设计难度，提高了振荡器的输出频率、相噪表现与集成度。
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公开(公告)号：CN115458883B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202211331585.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种高次模基片集成波导双通带圆形腔滤波器，包括该滤波器的层间结构顺序为下金属层、介质基片、上金属层，平面结构以基片集成波导圆形腔(3)为主体，沿周向均匀分布有贯穿上金属层、介质基片和下金属层的金属通孔(4)；在基片集成波导圆形腔的中间设有第二类开槽线(11)，在金属通孔与第二类开槽线(11)之间设有第一类开槽线(10)，在基片集成波导圆形腔中对称设有第一共面波导(7)和第二共面波导，在第一共面波导和第二共面波导(8)之间还设有一对贯穿上金属层、介质基片和下金属层的金属微扰通孔(9)。本发明结构简单，方便加工，可适用于更高的频率，可应用到5G毫米波以及6G移动通信系统中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118099685A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311789841.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于水平垂直交叉耦合半模腔的双层基片集成波导滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、下层单元。上层单元的两个半模谐振腔与下层单元的全模谐振腔通过位于第二金属层的金属开槽形成垂直耦合，上层单元的两个半模谐振腔通过第一金属层的微带短截线形成水平耦合。垂直耦合路径为主耦合路径，水平耦合路径为交叉耦合路径，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构，可为滤波器增加一个传输零点。第三金属层所开的金属半环形缝隙可以用以调整全模谐振腔的谐振频率。本发明在提升了滤波器选择性的情况下，利用垂直耦合结构及半模腔技术实现了小型化。可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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公开(公告)号：CN117691949A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311688747.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于八分之一模基片集成波导滤波器的低相噪压控振荡器，包括八分之一模基片集成波导滤波器、第一环路移相微带线、放大单元、第二环路移相微带线、模拟移相器、振荡器输出微带线；其中八分之一模基片集成波导滤波器的一个输出端连接第一环路移相微带线，第一环路移相微带线的另一端连接放大单元的输入端，放大单元的输出端连接模拟移相器中混合网络的的一个输入端；混合网络的一个输出端连接振荡器输出微带线和第二环路移相微带线，第二环路移相微带线的另一端连接八分之一模基片集成波导滤波器的输入端。所述模拟移相器包括正交90°混合网络、L型匹配枝节、变容二极管；本发明能降低压控振荡器的相位噪声提高二次谐波抑制能力。
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公开(公告)号：CN117154361A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311318087.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水平垂直交叉耦合的双层基片集成波导矩形腔滤波器，包括从上往下堆叠的上层单元、粘结层、下层单元。第一矩形谐振腔(R1)与第二矩形谐振腔(R2)通过第一耦合槽(13)和第三耦合槽(15)形成垂直耦合，第二矩形谐振腔与第三矩形谐振腔(R3)通过第二耦合槽(14)和第三耦合槽形成垂直耦合；第一矩形谐振腔和第三矩形谐振腔通过耦合窗(12)形成水平耦合；垂直耦合路径为主耦合路径，水平耦合路径为交叉耦合路径，垂直耦合与水平耦合两种方式构成了滤波器的水平垂直交叉耦合结构，本发明在提升了滤波器选择性的情况下，实现了小型化。适用于24GHz‑26GHz频段，可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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公开(公告)号：CN116388693A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310451717.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多模基片集成波导滤波功分器的低相噪振荡器，包括多模基片集成波导滤波功分器、放大单元、环路移相微带线；所述多模基片集成波导滤波功分器包括沿周向均匀分布的金属化通孔阵列组成的基片集成波导圆形腔，一个输入端口和两个输出端口；在基片集成波导圆形腔内部包括位于中间的第一类金属扰动通孔和位于第一类金属扰动通孔两侧的第二类金属扰动通孔；多模基片集成波导滤波功分器的输入端通过环路移相微带线连接放大单元的输出端，多模基片集成波导滤波器的一个输出端通过环路移相微带线连接放大单元的输入端，另一个输出端输出信号。本发明结构简单，尺寸较小且有效降低了相位噪声。
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公开(公告)号：CN111276781A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010166729.1
申请日：2020-03-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种基于通孔扰动的高次模基片集成波导圆形腔滤波器，包括二阶基片集成波导圆形腔，二阶基片集成波导圆形腔由单个基片集成波导圆形腔中心对称得到，二阶基片集成波导圆形腔包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿二阶基片集成波导圆形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔，同时介质基片中心和四周添加若干贯穿上金属层和下金属层的金属微扰通孔。相对于传统的基于基模的基片集成波导滤波器以及多层和多阶结构的基片集成波导滤波器，本发明结构简单，加工方便，体积更小，频率更高，适用于42～47GHz频段，可以应用到该频段的5G毫米波移动通信系统中。
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