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公开(公告)号：CN118292040A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410407529.9
申请日：2024-04-07
申请人： 东南大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B11/052 , C25B11/02 , C25B1/04 , C25B1/55
摘要： 本发明公开了一种硅光电阳极及其制备方法和应用，本发明通过液相化学自沉积将非晶WSx(a‑WSx)薄膜可控生长到硅光电阳极，继而通过循环线性扫描电沉积在非晶WSx薄膜上生长FeNi催化剂层，成功制备具有卓越光电催化水分解性能的FeNi/WSx/Si光电阳极。所得WSx层隔开硅阳极与电解质，提高了硅阳极稳定性；促进光生电子和空穴分离，提高了光生电流密度；提供丰富的FeNi层沉积形核位点，提高了助催化剂层的沉积均匀性。所得FeNi层与WSx层协同降低了光生电子和空穴复合率，消除了硅阳极的光腐蚀效应，从而提高了硅阳极在强碱环境中的催化氧化性和服役稳定性。
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公开(公告)号：CN118834688A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410869613.2
申请日：2024-07-01
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种高量子效率蓝光硼碳氮量子点的制备方法，该方法包括：将硼酸和三聚氰胺在管式炉中进行高温固相反应，反应后得到硼碳氮量子点前驱体；将超声后的前躯体在N‑二甲基甲酰胺中进行水热反应，反应后得到硼碳氮量子点溶液。本发明方法采用高能超声辅助的水热法，可获得了结晶度及分散性良好的硼碳氮前驱体，再采用一步水热法制备出硼碳氮量子点，得到的量子点荧光性能良好，量子效率高达46.2％。
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公开(公告)号：CN117339586A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311308479.0
申请日：2023-10-10
申请人： 东南大学
IPC分类号： B01J23/02 , B01J35/39 , B01J35/60 , B01J35/64 , C01B15/027
摘要： 本发明公开了一种介孔钛酸锶材料的制法，包括以下步骤：将两亲性嵌段共聚物、钛酸四丁酯分别溶解在N,N‑二甲基甲酰胺中，搅拌得到溶液A；将硝酸锶溶解在去离子水中，搅拌得到溶液B，将溶液A与溶液B混合，搅拌得到淡黄色透明胶体溶液C；将淡黄色透明胶体溶液C转移挥发，干燥固化，得到有机‑无机复合膜，研磨得到粉末；将粉末先在保护气体、450～650℃下煅烧，再在空气气氛、350～500℃下煅烧。本发明还公开了该制法所得介孔钛酸锶及其在光催化产H2O2中的应用。本发明能够制得40nm介孔钛酸锶材料，制法简单方便，成本较低，光催化产H2O2量最高达95.2μM(1小时)，突破现有技术瓶颈值。
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公开(公告)号：CN117276390A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311298872.6
申请日：2023-10-08
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于二维PtTe2/硅基异质结的光电探测器，包括电极结构，所述电极结构沿纵向依次包括Al背电极、Si衬底、Al2O3隧穿层、PtTe2膜和Ti/Au前电极；还包括IC底座，IC底座上固定有金接线柱，金接线柱一端通过导电银胶与Al背电极电连接，金接线柱另一端通过铝丝与Ti/Au前电极电连接。本发明还公开了上述基于二维PtTe2/硅基异质结的光电探测器的制备方法。本发明通过在PtTe2/Si光电探测器件中引入对应厚度的Al2O3层作为隧穿层，能够有效降低暗电流，实现光电流的倍增。
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