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公开(公告)号：CN119469213A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411591916.9
申请日：2024-11-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01D5/12 , G01D3/00 , G01D21/02 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种用于电池监测的三物理参量融合的传感器接口电路，包括差分放大电路、固定电阻、限制电阻、固定电容、阻变型压力传感器、阈值忆阻器。差分放大电路的输入为电池的两端电压，输出端接固定电阻的一端；固定电阻的另一端连接固定电容的一端和阈值忆阻器的一端，同时作为输出端；阈值忆阻器的另一端连接阻变型压力传感器的一端和限制电阻的一端；固定电容C、阻变型压力传感器RF以及限制电阻的另一端均接地。传感器接口电路将电池的电压、温度、应力三个物理参量的值融合为输出脉冲信号的频率、脉冲信号幅值最大值、脉冲信号幅值最小值等脉冲特征量，满足电池运行状态监测与BMS的需求。
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公开(公告)号：CN113257194A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110326976.8
申请日：2021-03-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、驱动管T5、存储电容器Cs、补偿电容器Cc、有机发光二极管OLED、第一扫描控制线Vs1、第二扫描控制线Vs2、数据信号线Vdata、电源/基准复用线Vdd/Vref。驱动方法包括补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段。其中，数据写入阶段既实现数据信号的写入，也实现对驱动管T5迁移率变化的补偿。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有开口率高、补偿驱动管迁移率变化、以及减缓有机发光二极管OLED退化速度等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113160754A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110453249.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种单电容结构的AMOLED像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、驱动管T4、存储电容器Cs、有机发光二极管OLED、扫描控制线Vs、发光控制线Vem、基准/数据复用线Vref/Vdata。驱动方法包括复位阶段、补偿阶段和发光阶段，其中补偿阶段实现对驱动管T4阈值电压的提取和数据信号的写入。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有结构简单、开口率高、能够补偿晶体管阈值电压正向和负向漂移、补偿有机发光二极管OLED退化问题的优点。
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公开(公告)号：CN112767882A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110248873.4
申请日：2021-03-08
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，该有源矩阵有机发光二级管像素补偿电路包括第一开关晶体管(T1)、第二开关晶体管(T2)、第三开关晶体管(T3)、驱动管(T4)、存储电容器(Cst)、有机发光二极管(OLED)、重置控制线(Vset)、发光控制线(Vem)、扫描控制线(Vscan)、基准/数据复用线(Vref/Vdata)。驱动方法包括重置阶段、补偿阶段和发光阶段，其中，补偿阶段既实现对驱动管T4阈值电压漂移的补偿，也实现数据信号的写入。本发明具有开口率高、补偿范围广(能够补偿阈值电压正向和负向漂移)以及补偿有机发光二级管工作电压(Voled)退化问题等优点。
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公开(公告)号：CN113257194B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110326976.8
申请日：2021-03-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、驱动管T5、存储电容器Cs、补偿电容器Cc、有机发光二极管OLED、第一扫描控制线Vs1、第二扫描控制线Vs2、数据信号线Vdata、电源/基准复用线Vdd/Vref。驱动方法包括补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段。其中，数据写入阶段既实现数据信号的写入，也实现对驱动管T5迁移率变化的补偿。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有开口率高、补偿驱动管迁移率变化、以及减缓有机发光二极管OLED退化速度等优点。
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公开(公告)号：CN113160754B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110453249.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种单电容结构的AMOLED像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、驱动管T4、存储电容器Cs、有机发光二极管OLED、扫描控制线Vs、发光控制线Vem、基准/数据复用线Vref/Vdata。驱动方法包括复位阶段、补偿阶段和发光阶段，其中补偿阶段实现对驱动管T4阈值电压的提取和数据信号的写入。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有结构简单、开口率高、能够补偿晶体管阈值电压正向和负向漂移、补偿有机发光二极管OLED退化问题的优点。
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公开(公告)号：CN112767882B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110248873.4
申请日：2021-03-08
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，该有源矩阵有机发光二级管像素补偿电路包括第一开关晶体管(T1)、第二开关晶体管(T2)、第三开关晶体管(T3)、驱动管(T4)、存储电容器(Cst)、有机发光二极管(OLED)、重置控制线(Vset)、发光控制线(Vem)、扫描控制线(Vscan)、基准/数据复用线(Vref/Vdata)。驱动方法包括重置阶段、补偿阶段和发光阶段，其中，补偿阶段既实现对驱动管T4阈值电压漂移的补偿，也实现数据信号的写入。本发明具有开口率高、补偿范围广(能够补偿阈值电压正向和负向漂移)以及补偿有机发光二级管工作电压(Voled)退化问题等优点。
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