公开(公告)号：CN103985546A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410211259.0

申请日：2014-05-19

申请人： 东南大学

发明人： 徐峰 ,  朱重阳 ,  王豪 ,  闵辉华 ,  董辉 ,  孙立涛 ,  翟旺旺 ,  孙博闻 ,  谭爽 ,  刘欣博 ,  李潇

IPC分类号： H01G9/042

摘要： 本发明公开了一种石墨烯-CoS纳米片复合对电极及其制备方法，由石墨烯薄膜和CoS纳米片阵列构成；所述石墨烯薄膜是通过喷涂工艺在ITO导电玻璃基底上沉积氧化石墨烯薄膜，再经电化学还原所得；所述CoS纳米片阵列直接电化学沉积生长在氧化石墨烯薄膜表面。本发明公开的石墨烯-CoS纳米片复合对电极制备方法简单，具有低温操作、快速大面积制备、环境友好的特点；同时，所制备的复合对电极具有电子迁移率快、界面电荷转移电阻小、催化活性高的特性，有效提升了染料敏化太阳能电池的光电转换效率。