-
公开(公告)号：CN100480617C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710133888.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01B7/00 , B81C5/00 , H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试方法，以金属层为基本层，设计对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，半导体层上面的绝缘层上分别对应于金属条的部位，相应开有条状引线孔，其尺寸小于相应部位的金属条，但与金属条一样必须覆盖梯形及矩形半导体的相同部位，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当绝缘层图形与半导体导电层图形之间存在相对偏移时，测试R2变化，得到绝缘层与半导体导电层图形对准误差。
-
公开(公告)号：CN100542947C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710133887.1
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 微机电器件加工中不同导电层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。
-
公开(公告)号：CN100489444C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710135587.7
申请日：2007-11-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种表面加工MEMS器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，其基本出发点是通过电学测量的方式得到绝缘层厚度值。在表面加工工艺中，MEMS器件结构绝缘层通常是二氧化硅、氮化硅或聚合物。本发明利用绝缘层材料上面具有导电性质的多晶硅和绝缘层上的沟槽，设计电学测试结构，通过测量多晶硅条的电阻并代入数学模型求得绝缘层的厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101144701A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710133888.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01B7/00 , B81C5/00 , H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，半导体层下面的绝缘层上分别对应于金属条的部位，相应开有条状引线孔，其尺寸小于相应部位的金属条但与金属条一样必须覆盖梯形及矩形半导体的相同部位，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当绝缘层图形与半导体导电层图形之间存在相对偏移时，测试R2变化，得到绝缘层与半导体导电层图形对准误差。
-
公开(公告)号：CN101143704A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710133887.1
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 微机电系统器件加工中不同导电层图形间对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。
-
公开(公告)号：CN101143703A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710133886.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种微机电系统器件加工中金属层与绝缘层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计准误差测试结构，该结构中半导体层为二块分离、平行设置、同一材料、同为矩形的半导体；下面的绝缘层上分别对应于二块半导体的部位，相应开有一个梯形及一个矩形窗口，与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形窗口的上、下底及矩形窗口的二长边，另一条覆盖梯形窗口的钝角部位及矩形窗口的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属层图形与绝缘层图形之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到当金属层图形与绝缘层图形之间对准偏移的误差值。
-
公开(公告)号：CN100579894C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710133886.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种微机电器件加工中金属层与绝缘层对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、平行设置、同一材料、同为矩形的半导体；下面是绝缘层，绝缘层上分别对应于二块半导体的部位，相应开有一个梯形及一个矩形窗口，与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形窗口的上、下底及矩形窗口的二长边，另一条覆盖梯形窗口的钝角部位及矩形窗口的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，整根的金属条与另一条覆盖矩形窗口的那一段金属条及它们之间的半导体导电层形成一个电阻R1，整根的金属条与另一条覆盖梯形窗口的钝角部位的那一段金属条及它们之间的半导体导电层形成另一个电阻R2，当金属层图形与绝缘层图形之间存在相对偏移时，测试R2变化，得到当金属层图形与绝缘层图形之间对准偏移的误差值。
-
公开(公告)号：CN101158568A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710135587.7
申请日：2007-11-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种表面加工MEMS器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，其基本出发点是通过电学测量的方式得到绝缘层厚度值。在表面加工工艺中，MEMS器件结构绝缘层通常是二氧化硅、氮化硅或聚合物。本发明利用绝缘层材料上面具有导电性质的多晶硅和绝缘层上的沟槽，设计电学测试结构，通过测量多晶硅条的电阻并代入数学模型求得绝缘层的厚度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.017 seconds)
