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公开(公告)号：CN108152531A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711172065.4
申请日：2017-11-21
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种电容式三维风速风向传感器，所述传感器包括第一微柱、第二微柱、衬底、第一空气层、第二空气层、第一层金属极板单元、第二层金属极板单元和第三层金属极板单元；所述第一微柱连接在衬底的顶面，第二微柱连接在衬底的底面，第一空气层、第二空气层和金属极板单元位于衬底中，第一层金属极板单元、第一空气层、第二层金属极板单元、第二空气层和第三层金属极板单元从上向下依次布设；第一空气层中设有第一微支点，第二空气层中设有第二微支点，第一微支点和第二微支点分别与衬底连接；第一层金属极板单元、第二层金属极板单元和第三层金属极板单元嵌在衬底中，可用引线引出。该传感器可以实现零功耗，同时提高风速测量的可靠性。
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公开(公告)号：CN108152531B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201711172065.4
申请日：2017-11-21
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种电容式三维风速风向传感器，所述传感器包括第一微柱、第二微柱、衬底、第一空气层、第二空气层、第一层金属极板单元、第二层金属极板单元和第三层金属极板单元；所述第一微柱连接在衬底的顶面，第二微柱连接在衬底的底面，第一空气层、第二空气层和金属极板单元位于衬底中，第一层金属极板单元、第一空气层、第二层金属极板单元、第二空气层和第三层金属极板单元从上向下依次布设；第一空气层中设有第一微支点，第二空气层中设有第二微支点，第一微支点和第二微支点分别与衬底连接；第一层金属极板单元、第二层金属极板单元和第三层金属极板单元嵌在衬底中，可用引线引出。该传感器可以实现零功耗，同时提高风速测量的可靠性。
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公开(公告)号：CN107796456B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710958511.8
申请日：2017-10-16
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01F1/69
摘要： 本发明公开了一种基于双检测模式的宽量程流量传感器，包括衬底，设于衬底上的中心加热电阻以及中心加热电阻两侧对称分布的若干电阻元件,若干所述电阻元件均可分时复用为加热电阻或测温电阻，距离中心加热电阻较近的一对为内侧电阻元件，距离中心加热电阻较远的一对为外侧电阻元件，所述内侧电阻元件距离中心加热电阻的距离相等，所述外侧电阻元件距离中心加热电阻的距离相等，所述内侧电阻元件分别与外侧电阻元件之间的距离远小于内侧电阻元件分别到中心加热电阻的距离，还公开了其测量方法。本发明的基于双检测模式的宽量程流量传感器及测量方法，利用该流量传感器测量流速，可以达到宽量程的效果，且测量准确，流速测量范围广。
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公开(公告)号：CN103995022B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410247627.7
申请日：2014-06-05
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 一种硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力的测试结构及测试方法，结构包括SOI硅片，SOI硅片包括底层硅材料，底层硅材料上有第一、第二锚区绝缘介质层和电极绝缘介质层，其上分别有第一锚区、第二锚区和电极，底层硅材料上方有双端固支梁，双端固支梁与电极相对。方法：把待测的具有硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力测试结构的样片放在半导体分析仪的探针台上，在电极与第一锚区或第二锚区之间施加电压，电压从0.0V开始，步长为0.1V，当双端固支梁被静电引力突然拉到固定电极上时，半导体分析仪会停止增加电压，记录下该吸合电压;测出两组不同长度的双端固支梁的吸合电压，计算出绝缘衬底上的硅材料顶层硅的杨氏模量和残余应力。
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公开(公告)号：CN108051610A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711161945.1
申请日：2017-11-21
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种智能双检测模式的风速风向传感器及测量方法，包括衬底，所述衬底中央处设有中心加热电阻，以所述中心加热电阻为中心向外对称设有若干内环电阻元件和外环电阻元件，所述内环电阻元件与外环电阻元件之间的距离小于内环电阻元件与中心加热电阻之间的距离，所述内环电阻元件和外环电阻元件均可分时复用为加热电阻或测温电阻。本发明的智能双检测模式的风速风向传感器及测量方法，利用该风速风向传感器结测量风速，可以达到宽量程的效果，具有测量准确，风速测量范围广的优良性能。
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公开(公告)号：CN103995022A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410247627.7
申请日：2014-06-05
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 一种硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力的测试结构及测试方法，结构包括SOI硅片，SOI硅片包括底层硅材料，底层硅材料上有第一、第二锚区绝缘介质层和电极绝缘介质层，其上分别有第一锚区、第二锚区和电极，底层硅材料上方有双端固支梁，双端固支梁与电极相对。方法：把待测的具有硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力测试结构的样片放在半导体分析仪的探针台上，在电极与第一锚区或第二锚区之间施加电压，电压从0.0V开始，步长为0.1V，当双端固支梁被静电引力突然拉到固定电极上时，半导体分析仪会停止增加电压，记录下该吸合电压；测出两组不同长度的双端固支梁的吸合电压，计算出绝缘衬底上的硅材料顶层硅的杨氏模量和残余应力。
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公开(公告)号：CN108051610B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201711161945.1
申请日：2017-11-21
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种智能双检测模式的风速风向传感器及测量方法，包括衬底，所述衬底中央处设有中心加热电阻，以所述中心加热电阻为中心向外对称设有若干内环电阻元件和外环电阻元件，所述内环电阻元件与外环电阻元件之间的距离小于内环电阻元件与中心加热电阻之间的距离，所述内环电阻元件和外环电阻元件均可分时复用为加热电阻或测温电阻。本发明的智能双检测模式的风速风向传感器及测量方法，利用该风速风向传感器结测量风速，可以达到宽量程的效果，具有测量准确，风速测量范围广的优良性能。
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公开(公告)号：CN107796456A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710958511.8
申请日：2017-10-16
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01F1/69
摘要： 本发明公开了一种基于双检测模式的宽量程流量传感器，包括衬底，设于衬底上的中心加热电阻以及中心加热电阻两侧对称分布的若干电阻元件,若干所述电阻元件均可分时复用为加热电阻或测温电阻，距离中心加热电阻较近的一对为内侧电阻元件，距离中心加热电阻较远的一对为外侧电阻元件，所述内侧电阻元件距离中心加热电阻的距离相等，所述外侧电阻元件距离中心加热电阻的距离相等，所述内侧电阻元件分别与外侧电阻元件之间的距离远小于内侧电阻元件分别到中心加热电阻的距离，还公开了其测量方法。本发明的基于双检测模式的宽量程流量传感器及测量方法，利用该流量传感器测量流速，可以达到宽量程的效果，且测量准确，流速测量范围广。
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公开(公告)号：CN106443056A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610840148.5
申请日：2016-09-21
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于圆片级封装的MEMS风速风向传感器结构及封装方法，将硅圆片正面以倒装焊的方式圆片级封装在陶瓷基板上，而陶瓷基板的反面作为传感器和风接触的界面，仅需要对硅圆片和陶瓷基板低温键合，进行划片得到的传感器中，硅芯片上可以通过硅通孔将中心测温,元件加热元件和热传感测温元件连接到电路上进行控制和检测。为了将硅芯片和陶瓷基板更好的热接触，加热元件,中心测温元件和热传感测温元件的热端紧贴陶瓷基板。这样相对于之前的结构，可以降低成本，提高灵敏度和降低响应时间。本发明提出的基于圆片级封装的MEMS风速风向传感器具有成本低、灵敏度高，响应时间快以及制作工艺简单的优点。
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