公开(公告)号：CN107119264B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201710445375.2

申请日：2017-06-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘磊 ,  吕俊 ,  黄亚洲 ,  杨俊杰 ,  陈云飞 ,  倪中华

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06

Abstract: 同腔原位复合沉积铱‑氧化铝高温涂层设备与工艺，涉及化学气相沉积技术领域。设备包括反应腔体系统、四条管路系统、真空系统和尾气处理系统，系统之间通过管路密封连接。四种前驱体源置于源瓶中，源瓶与四条管路分别相连。通过四个气动阀调控前驱体源的通入，N2作为源的载气，真空泵系统为设备提供一定真空度，尾气处理处理系统对反应后产物进行处理后排放；通入Al(CH3)3、H2O源，ALD沉积复合材料的Al2O3层，通入Ir金属化合物、O2源，ALD沉积复合材料的Ir层，将Ir化合物源通入反应腔内高温分解，CVD沉积Ir层。按照复合涂层工艺方案沉积，得到耐高温抗氧化、高粘附力、抗热震的Re基Ir‑Al2O3复合涂层材料。在航空航天、能源动力以及国防等领域具有广泛的应用。

公开(公告)号：CN108365012A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810064699.6

申请日：2018-01-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘磊 ,  黄亚洲 ,  吕俊 ,  杨俊杰 ,  陈云飞 ,  倪中华

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积制备二硫化钼场效应管的方法，包括如下步骤：将基底样品放入反应腔；利用载气将钼源送入反应腔，使钼源与基底样品表面发生自限制化学吸附；利用载气将硫化氢送入反应腔，使硫化氢与钼源发生自限制化学反应，在基底样品上生成二硫化钼薄膜；将所生成的二硫化钼薄膜按所需的场效应管沟道尺寸，刻蚀成条状二硫化钼；在条状二硫化钼上沉积金属源和漏极；采用本发明的方法制备的二硫化钼薄膜覆盖面积大，质量均匀，在制备场效应管的过程中不需要精确定位，提高了制备效率和降低成本。

公开(公告)号：CN107338422A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710497160.5

申请日：2017-06-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘磊 ,  黄亚洲 ,  吕俊 ,  杨俊杰 ,  陈云飞 ,  倪中华

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/305 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积二硫化钼薄膜的方法，包括以下步骤：将钼源装入源瓶并加热，加热放置有基底样品的反应腔；利用载气将钼源吹入反应腔，使钼源与基底样品表面发生自限制化学吸附，钼源吹入结束后，继续通入载气，将反应副产物和残余的钼源冲洗掉；利用载气将硫化氢吹入反应腔，使硫化氢与钼源发生自限制化学反应，在基底样品表面生成二硫化钼薄膜，硫化氢吹入结束后，继续通入载气将反应副产物和残余硫化氢冲洗掉。本发明制备的二硫化钼薄膜质量均匀、表面平整、厚度可以精确控制。

公开(公告)号：CN107119264A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710445375.2

申请日：2017-06-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘磊 ,  吕俊 ,  黄亚洲 ,  杨俊杰 ,  陈云飞 ,  倪中华

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/45529 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403

Abstract: 同腔原位复合沉积铱‑氧化铝高温涂层设备与工艺，涉及化学气相沉积技术领域。设备包括反应腔体系统、四条管路系统、真空系统和尾气处理系统，系统之间通过管路密封连接。四种前驱体源置于源瓶中，源瓶与四条管路分别相连。通过四个气动阀调控前驱体源的通入，N2作为源的载气，真空泵系统为设备提供一定真空度，尾气处理处理系统对反应后产物进行处理后排放；通入Al(CH3)3、H2O源，ALD沉积复合材料的Al2O3层，通入Ir金属化合物、O2源，ALD沉积复合材料的Ir层，将Ir化合物源通入反应腔内高温分解，CVD沉积Ir层。按照复合涂层工艺方案沉积，得到耐高温抗氧化、高粘附力、抗热震的Re基Ir‑Al2O3复合涂层材料。在航空航天、能源动力以及国防等领域具有广泛的应用。

公开(公告)号：CN107478175A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710710946.0

申请日：2017-08-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘磊 ,  杨俊杰 ,  黄亚洲 ,  吕俊 ,  陈云飞 ,  倪中华

IPC: G01B11/24 ,  G01B7/06

CPC classification number: G01B11/2441 ,  G01B7/066

Abstract: 本发明公开一种原子层沉积薄膜原位监测控制系统，其包括原子层沉积设备、分别用于实时监测原子层沉积薄膜的表面轮廓和薄膜沉积厚度的白光干涉三维轮廓检测装置及石英晶体微天平、以及控制模块，该控制模块与原子层沉积设备、白光干涉三维轮廓检测装置、石英晶体微天平分别连接，用于接收、观测、分析实时的薄膜表面轮廓信息和薄膜厚度信息、并根据该信息控制原子层沉积过程。该监测控制系统通过对薄膜沉积过程进行原位监测，不仅可实时在线监控涂层厚度和薄膜表面三维轮廓，还能及时显示薄膜涂层厚度的动态变化过程和薄膜表面的三维形貌轮廓图像等信息，从而帮助提高薄膜涂层沉积的精度，改善薄膜产品的质量，使得薄膜涂层的性能更加优越。