公开(公告)号：CN118012198A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410147891.7

申请日：2024-02-01

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 郑逸飞 ,  袁伟民 ,  董千恒 ,  李博宇 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，属于稳压电路领域，包括：电源VCC、地GND、偏置单元和输出单元。本发明采用增强型氮化镓HEMT实现的宽电源电压范围的稳压电路，能够为芯片内部电路模块提供稳定电源电压。

公开(公告)号：CN119311064A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411402623.1

申请日：2024-10-09

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  周颖豪 ,  王闻逸 ,  郑逸飞 ,  袁伟民 ,  杜雨琪 ,  时龙兴

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，属于稳压电路领域，包括包括基准电压产生单元、辅助上拉单元、主调整单元和辅助下拉单元。本发明采用高压MOS器件实现无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，能够减小芯片面积，提高电路的瞬态响应速度，为驱动级电路提供稳定的电压。

公开(公告)号：CN117595792A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311652583.1

申请日：2023-12-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  应宇涛 ,  郑逸飞 ,  袁伟民 ,  董千恒 ,  时龙兴

IPC: H03B5/04 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明公开一种采用氮化镓全集成工艺的低温漂、高调频线性度振荡器，包括主振荡器模块、预充电调节模块、温度漂移抑制模块、输出级模块，用于解决传统振荡器因氮化镓工艺集成电路的高控制延时导致的低精度问题，突破氮化镓全集成工艺缺少P型晶体管的设计局限，减小温度对振荡器频率影响，减小控制电路延时对振荡器调频线性度的影响。